Для цитирования:

Васьков О.С., Нисс В.С., Кононенко В.К., Турцевич А.С., Рубцевич И.И., Соловьев Я.А., Керенцев А.Ф. ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014;(1):47-52. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-47-52

For citation:

Vaskou O.S., Niss V.S., Kononenko V.K., Turtsevich A.S., Rubtsevich I.I., Solov’ev Y.A., Kerentsev A.F. DIAGNOSTICS OF TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICS OF HIGH–POWER TRANSISTORS USING RELAXING IMPEDANCE SPECTROMETRY OF THERMAL PROCESSES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2014;(1):47-52. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2014-1-47-52