Полноэкранный режим

Для цитирования: Таперо К.И., Петров А.С., Улимов В.Н. РАДИАЦИОННО–ИНДУЦИРОВАННАЯ ДЕГРАДАЦИЯ КМОП–ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОЩНОСТИ ДОЗЫ И ТЕМПЕРАТУРЫ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015;18(4):291-296. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-291-296

For citation: Tapero K.I., Petrov A.S., Ulimov V.N. RADIATION INDUCED DEGRADATION OF CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS AT DIFFERENT DOSE RATES AND TEMPERATURES. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2015;18(4):291-296. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-4-291-296

Просмотров: 175

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального
образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
Адрес: 119049, г. Москва, Ленинский проспект, д. 4 
Телефон: +7 (495) 638-45-31
Email: met.misis@inbox.ru

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Elpub)
powered by PKP OJS