КОНТАКТНЫЕ И БЕСКОНТАКТНЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ


https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-2-

Аннотация

В данной работе проводилось измерение удельного электросопротивления (УЭС) образцов монокристаллических пластин кремния с созданным на их поверхности пористым слоем различной толщины контактным и бесконтактным методом. Пористый слой создавался на поверхностях монокристаллических пластин с хорошо выраженным микрорельефом: текстурированных и шлифованных. В качестве контактного был выбран классический четырёхзондовый метод с линейным расположением зондов,  бесконтактным был резонаторный СВЧ метод, основанный на явлении поглощения СВЧ излучения свободными носителями заряда.  По результатам измерений построены карты распределения УЭС по площади образцов. Показано качественное совпадение картин распределения УЭС., полученных контактным и бесконтактным методом. Для анализа картины разброса значений удельного сопротивления по площади образцов было проведено моделирование распределения поля в электролите при формировании пористого слоя в ячейке с непланарным анодом. Особенности пространственного распределения УЭС для каждого типа образцов объясняются особенностями механизма порообразования, которые, в свою очередь, задаются исходным микрорельефом поверхности и картиной распределения поля в электролите в данном конкретном случае.

Об авторе

Наталья Виленовна Латухина
Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева, Самара, Россия
Россия


Список литературы

1. Зимин, С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С.П. Зимин// ФТП 2000.т.34.в.3 – с.359 - 363

2. Bisi, S. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics / O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi // Surf. Sci. Rep. 2000. - Vol. 38, Nosl/3. - P.l - 126.

3. Зимин, С.П. Прыжковая проводимость в мезапористом кремнии с малой пористостью, сформированном на р+Si‹B›/ С.П. Зимин// ФТП 2006.т.40.в.11 – с.1385 - 13871.

4. Е.А. Сакун, А.В. Полюшкевич, П.А. Харлашин, О.В. Семенова, А.Я. Корец / Разработка пористых структур на кремнии/JournalofSiberianFederalUniversity. Engineering&Technologies 4 (2010 3) 430-443

5. К.Б. Тыныштыкбаев, Ю.А. Рябикин, С.Ж. Токмолдин,Т. Айтмукан, Б.А. Ракыметов, Р.Б. Верменичев//Морфология пористого кремния при длительном анодном травлении в электролите с внутренним источником тока. //Письма в ЖТФ, 2010, том 36, вып. 11.с.104-110

6. Горячев Д.Н., Беляков Л.В, Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т. 34, вып. 9. – C. 1130–1134.

7. A. Volance. Phys. Rev. B, 55, 9706 (1997).

8. M. Rausches, H. Spohn. Phys. Rev. E, 64, 031 604 (2001).

9. Xiaoge Gregory Zhang. Electrochemistry of Silicon and Its Oxide//N. Y., Boston-Dordrecht-London-Moscow, KluwerAcademic Publishers, 2004).

10. P. Allongue, V. Kieling, H. Gerischer. Etching mechanism and atomic structure of H-Si(111) surfaces prepared in NH4F. // Electrochim. Acta, 40,1353 (1995)

11. Трегулов, В. В. Пористый кремний: технология, свойства, применение: монография // РГУ им. С. А. Есенина. - Рязань : РГУ,- 2011, -с.24.

12. В.П. Улин, Н.В. Улин, Ф.Ю. Солдатенков. Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования//Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 4. С.481-496

13. В.П. Улин, С.Г. Конников. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AIIIBV //ФТП, 41(7), c.854 - 866 (2007).

14. Кунакбаев Т.Ж., Тукубаев Э.Э. Моделирование получения пористого кремния на атомном уровне.// Хаос и структуры в нелинейных системах. Теория и эксперемент. Междун. научно-практ. конференция. - 2015. - № 1. - С. 171-176

15. Т.В. Пискажова, Н.П. Савенкова, С.В. Анпилов, А.В. Калмыков, Ф.С. Зайцев, Ф.А. Аникеев. Трёхмерное математическое моделирование динамики границы раздела сред алюминия, электролита и зоны обратного окисления металла в зависимости от распределения потенциала.// Journal of Siberian Federal University. Engineering&Technologies, 2017, 10(1), 59-73

16. А.Е. Городецкий, И.Л. Тарасова. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ.// Математическое моделирование, 2008, т. 20, №2, с. 105-112.

17. Латухина Н.В. и др. Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нано-пористым кремнием // Известия СНЦ РАН, 2009, Т.11, №3, с.66 – 70.

18. Анфимов И.М., Кобелева С.П., Щемеров И.В. Установка для измерения удельного электросопротивления бесконтактным СВЧ методом // Материалы I международной конф. «Актуальные проблемы прикладной физики 2012». Севастополь, 2012, с. 82-83

19. Daria Lizunkova, Victor Chepurnov and Vyacheslav Paranin Nanocrystalline Silicon and Silicon Carbide Optical Properties CEUR Workshop Proceedings. Proceedings of the International conference Information Technology and Nanotechnology. Session Computer Optics and Nanophotonics Samara, Russia, 24-27 April, 2017., Vol-1900, p. 84-89


Дополнительные файлы

1. Неозаглавлен
Тема
Тип Исследовательские инструменты
Скачать (4MB)    
Метаданные

Для цитирования: Латухина Н.В. КОНТАКТНЫЕ И БЕСКОНТАКТНЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2018;21(2). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-2-

For citation: . . Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2018;21(2). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-2-

Просмотров: 8

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)