Полноэкранный режим

Для цитирования: Ильин А.С., Гололобов В.М., Форш Е.А., Форш П.А., Кашкаров П.К. Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2017;20(2):122-128. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-122-128

For citation: Ilin A.S., Gololobov V.M., Forsh E.A., Forsh P.A., Kashkarov P.K. Calculation of the grain potential barrier in the poly− and nanocrystalline semiconductors. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2017;20(2):122-128. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2017-2-122-128

Просмотров: 78

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)