Для цитирования:
Талызин И.В., Самсонов В.М. О перспективе создания элементов памяти на основе наночастиц кремния. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(2):84-91. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-2-84-91
For citation:
Talyzin I.V., Samsonov V.M. On the prospect of creating memory elements based on silicon nanoparticles. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2019;22(2):84-91. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-2-84-91