ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-25-28
Аннотация
Представлены результаты исследования многокомпонентных пьезоэлектрических кристаллов группы лантангаллиевого силиката (лангасита). Изучены процессы синтеза и структура кристаллов. С использованием методов рентгеновской топографии и дифрактометрии исследованы акустические свойства
кристаллов. Продемонстрирована возможность применения этих пьезоэлектрических кристаллов в
высокотемпературных сенсорных устройствах на поверхностных акустических волнах.
Об авторах
Д. В. РощупкинРоссия
доктор физ.−мат. наук, зам. директора по научной работе, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,
Д. В. Иржак
Россия
кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6
Е. В. Емелин
Россия
кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,
Р. Р. Фахртдинов
Россия
зам. директора по научной работе, аспирант, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,
О. А. Бузанов
Россия
кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва;
ул. Буженинова, д. 16
С. А. Сахаров
Россия
старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва; ул. Буженинова, д. 16
Список литературы
1. Da Cunda, M. P. Investigation on recent quartz−like materials for SAW applications / M. P. Da Cunda, S. A. Fagundes // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 1999. − V. 46. − P. 1583—1594.
2. Smythe, R. C. Langasite, langanite, and langatate bulk− wave Y−cut resonators / R. C. Smythe, R. C. Helmbold, G. E. Hague, K. A. Snow // Ibid. − 2000. − V. 47. − P. 355—361.
3. Fritze, H. Langasite for high−temperature bulk acoustic wave applications / H. Fritze, H. L. Tuller // Appl. Phys. Lett. − 2001. − V. 78. − P. 976—983.
4. Naumenko, N. Optimal cuts of langasite, La3Ga5SiO14 for SAW devices / N. Naumenko // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. − 2001. − V. 48. − P. 530—538.
5. Roshchupkin, D. V. X−ray Bragg diffraction from langasite crystal modulated by surface acoustic wave / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, R. Tucoulou, O. A. Buzanov // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 6692—6692.
6. Roshchupkin, D. V. X−ray topography analysis of acoustic wave fields in the SAW−resonators structures / D. V. Roshchupkin, H. D. Roshchupkina, D. V. Irzhak // IEEE Transaction on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. − 2005. − V. 52. − P. 2081— 2087.
7. Roshchupkin, D. Diffraction of a focused x−ray beam from La3Ga5SiO14 crystal modulated by surface acoustic waves / D. Roshchupkin, D. Irzhak, A. Snigirev, I. Snigireva, L. Ortega, A. Sergeev // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 110. − P. 124902(7).
8. Roshchupkin, D. V. X−ray diffraction analysis of the surface acoustic wave propagation in langatate crystal / D. V. Roshchupkin, A. I. Erko, L. Ortega, D. V. Irzhak // J. Appl. Phys. A. − 2009. − V. 94. − P. 477—485.
9. Roshchupkin, D. V. Investigation of structural perfection and acoustic properties of La3Ga5SiO14 crystals by high resolution x−ray diffraction, topography, and microfluorescence analysis / D. V. Roshchupkin, D. V. Irzhak, E. D. Roshchupkina, O. A. Buzanov // Crystallography Rep. − 2004. − V. 49. − P. S80—S88.
10. Sakharov, S. High−temperature sensor based on SAW−modulated langasite crystal / S. Sakharov, D. Roshchupkin, E. Emelin, D. Irzhak, O. Buzanov, A. Zabelin // Proc. Eng. − 2011. − V. 25. − P. 1020—1023.
Рецензия
Для цитирования:
Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Емелин Е.В., Фахртдинов Р.Р., Бузанов О.А., Сахаров С.А. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012;(3):25-28. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-25-28
For citation:
Roshchupkin D.V., Irzhak D.V., Emelin E.V., Fahrtdinov R.R., Buzanov O.A., Sakharov S.A. Advanced Materials for Acoustoelectronics. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):25-28. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-25-28