Для цитирования:

Сироткин В.В., Тулина Н.А. Применение численного моделирования в исследовании мемристивных структур на основе оксидов и халькогенидов. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2019;22(4):246-252. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-246-252

For citation:

Sirotkin V.V., Tulina N.A. Application of numerical simulation in investigation of memristor structures based on oxides and chalcogenides. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2019;22(4):246-252. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-246-252