Heterostructure Investigation Using X–ray Single–Crystal Diffractometry Method
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-72-78
Abstract
The capabilities of an XMD−300 diffractometer were explored in three measurement setups, i.e. sliding primary beam, diffracted primary beam, θ–2θ setup for the crystalline perfection investigations of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements
using these three setups in scattered radiation and at direct validity of Bragg’s diffraction condition allowed receiving diffraction interference patterns simultaneously from the crystal lattice of several layers and interferential picks of maximum intensity for each individual layer.
About the Authors
A. V. LutzauRussian Federation
M. M. Krymko
Russian Federation
K. L. Enisherlova
Russian Federation
E. M. Temper
Russian Federation
I. I. Razguliaev
Russian Federation
References
1. Кузьмин, Р. Н. Рентгеновская оптика / Р. Н. Кузьмин // Соросовский образовательный журнал. − 1997. − № 2. − С. 1—7.
2. Enisherlova, K. L. The spatial features AlxGa1−xN/GaN heterostructures / K. L. Enisherlova, R. M. Immamov, L. M. Subbotin // Proc. of SPIE. Micro− and nanoelectronics. − 2008. − V. 7025. − P. 702518−8.
3. Васильев, А. Г. Исследование структур AlGaN/GaN методом рентгеновской дифрактометрии / А. Г. Васильев, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, Э. М. Темпер, Т. Ф. Русак // Электрон. техника. Полупроводниковые приборы. серия 2. − 2010. − Вып. 2(225). − С. 13—27.
4. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 270 с.
5. Bublik, V. T. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates. / V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K. D. Shcherbachev, D. M. Pazhin // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2005. V. 38, N 10A. − P. A126—A131.
6. Пинскер, З. Г. Рентгеновская кристаллооптика / З. Г. Пинскер. − М. : Наука, 1982. − 390 с.
Review
For citations:
Lutzau A.V., Krymko M.M., Enisherlova K.L., Temper E.M., Razguliaev I.I. Heterostructure Investigation Using X–ray Single–Crystal Diffractometry Method. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(3):72-78. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-72-78