Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV

С. Н. Князев; А. В. Кудря; Н. Ю. Комаровский; Ю. Н. Пархоменко; Е. В. Молодцова; В. В. Ющук

Для цитирования:

Князев С.Н., Кудря А.В., Комаровский Н.Ю., Пархоменко Ю.Н., Молодцова Е.В., Ющук В.В. Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2022;25(4):323-336. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-323-336. EDN: TEZNPS

For citation:

Knyazev S.N., Kudrya A.V., Komarovskiy N.Yu., Parkhomenko Yu.N., Molodtsova E.V., Yushchuk V.V. Methods of dislocation structure characterization in AIIIBV semiconductor single crystals. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2022;25(4):323-336. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-323-336. EDN: TEZNPS

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.

ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)

Логин
Пароль
	Запомнить меня
Регистрация нового пользователя Забыли Ваш пароль?

Войти

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Для цитирования:

For citation:

Использование куки-файлов