Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Щемеров И.В., Поляков А.Я., Алмаев А.В., Николаев В.И., Кобелева С.П., Васильев А.А., Кирилов В.Д., Кочкова А.И., Копьев В.В., Куланчиков Ю.О. Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(2):137-147. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-137-147. EDN: BSJNQA

For citation:


Schemerov I.V., Polyakov A.Yu., Almaev A.V., Nikolaev V.I., Kobeleva S.P., Vasilyev A.A., Kirilov V.D., Kochkova A.I., Kopiev V.V., Kulanchikov Yu.O. Nature of the abnormally high photocurrent relaxation time in the a-Ga2O3-based Schottky diodes. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(2):137-147. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-137-147. EDN: BSJNQA

Просмотров: 41


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)