Для цитирования:
Щемеров И.В., Поляков А.Я., Алмаев А.В., Николаев В.И., Кобелева С.П., Васильев А.А., Кирилов В.Д., Кочкова А.И., Копьев В.В., Куланчиков Ю.О. Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2023;26(2):137-147. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-137-147. EDN: BSJNQA
For citation:
Schemerov I.V., Polyakov A.Yu., Almaev A.V., Nikolaev V.I., Kobeleva S.P., Vasilyev A.A., Kirilov V.D., Kochkova A.I., Kopiev V.V., Kulanchikov Yu.O. Nature of the abnormally high photocurrent relaxation time in the a-Ga2O3-based Schottky diodes. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2023;26(2):137-147. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2023-2-137-147. EDN: BSJNQA
Послать статью по эл. почте 