Для цитирования:
Кислюк А.М., Кубасов И.В., Турутин А.В., Темиров А.А., Шпортенко А.С., Куц В.В., Малинкович М.Д. Электрофизические свойства, мемристивное и резистивное переключение в заряженных доменных стенках в ниобате лития. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(1):35-55. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.565
For citation:
Kislyuk A.M., Kubasov I.V., Turutin A.V., Temirov A.A., Shportenko A.S., Kuts V.V., Malinkovich M.D. Electrophysical properties, memristive and resistive switching in charged domain walls in lithium niobate. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(1):35-55. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.565
Послать статью по эл. почте 