Features of Chemically Etched Porous Silicon
https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-65-66
Abstract
The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers and the relationship between etching parameters and porous layer properties. We show that the conductivity of porous silicon is similar to that of amorphous silicon. Chemical etching allows creating porous layers with the same intensity of photoluminescence and absorption as for anodically etched porous silicon.
About the Author
T. Yu. Bilyk
National Technical University of Ukraine «Kiev Polytechnical Institute», Ukraine
Ukraine
Ukraine
References
1. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. − М. : Мир, 1974. − 472 с.
2. Zettner, J. Porous silicon reflector for thin silicon solar cells / J. Zettner, H. v. Campe, M. Thönissen, R. Auer, J. Ackermann, T. Hierl, R. Brendel, M. Schulz // Proc. 2nd World Conf. and Exhibition on photovoltaic. − Luxembourg, 1998. − P. 1766—1769.
3. Bilyk, T. Yu. Improvement of silicon solar cells performance by using of nanostructured silicon layer / T. Yu. Bilyk, M. M. Melnichenko, O. M. Shmyryeva, K. V. Svezhentsova // Электроника и связь. − 2010. − Т. 6, №. 2. − С. 101—105.
4. Білик, Т. Ю. Фотолюмінісценція шарів пористого кремнію отриманого хімічним способом / Т. Ю. Білик // Электроника и связь. − 2011. − № 4. − С. 45—47.
Review
For citations:
Bilyk T.Yu. Features of Chemically Etched Porous Silicon. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2012;(4):65-66. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-4-65-66
Views:
912
Email this article 