Для цитирования:

Смирнов И.С., Говорков А.В., Кожухова Е.А., Лисицкий И.С., Кузнецов М.С., Зараменских К.С., Поляков А.Я. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):4-12. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-4-12

For citation:

Smirnov N.B., Govorkov A.V., Kozhukhova E.A., Lisitsky I.S., Kuznetsov M.S., Zaramenskih K.S., Polyakov A.Y. THE INFLUENCE OF GROWTH CONDITIONS AND DONOR DOPING ON CONDUCTIVITY MODE AND DEEP TRAPS SPECTRA IN TLBR SINGLE CRYSTALS. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):4-12. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-4-12