Полноэкранный режим

Для цитирования: Гоник М.И., Cröll A. К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;(3):12-19. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-12-19

For citation: Gonik M.A., Cröll A. POSSIBILITY OF GROWING BULK SI—GE CRYSTALS USING AXIAL HEAT FLOW METHOD NEAR THE CRYSTALLIZATION FRONT. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;(3):12-19. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-12-19

Просмотров: 370

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)