D. V. Roshchupkin
Institute of Microelectronics Technology and High–Purity Materials, Russian Academy of Sciences
Russian Federation

доктор физ.−мат. наук, зам. директора по научной работе, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6, 

D. V. Irzhak
Institute of Microelectronics Technology and High–Purity Materials, Russian Academy of Sciences
Russian Federation

кандидат физ.−мат. наук, старший научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6

E. V. Emelin
Institute of Microelectronics Technology and High–Purity Materials, Russian Academy of Sciences
Russian Federation

кандидат физ.−мат. наук, научный сотрудник, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

R. R. Fahrtdinov
FOMOS Materials Co.
Russian Federation

зам. директора по научной работе, аспирант, ФГБУН «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН», 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6,

O. A. Buzanov
FOMOS Materials Co.
Russian Federation

кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва;
ул. Буженинова, д. 16

S. A. Sakharov
FOMOS Materials Co.
Russian Federation

старший научный сотрудник, ОАО «ФОМОС Материалс», 105023, г. Москва; ул. Буженинова, д. 16