Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Верезуб Н.А., Простомолотов А.И. Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральского. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2024;27(2):132-139. https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.603

For citation:


Verezub N.A., Prostomolotov A.I. Simulation of MHD-influence on silicon melt flow in Czochralski process. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2024;27(2):132-139. (In Russ.) https://doi.org/10.17073/1609-3577j.met202310.603



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1609-3577 (Print)
ISSN 2413-6387 (Online)