Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
| "... resistance. Thermal characteristics of the KP723G transistors and their imported counterparts IRLZ44 and IRLB ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПАЙКИ КРЕМНИЕВЫХ КРИСТАЛЛОВ МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В ИХ КОРПУСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Аносов, Д. В. Гомзиков, М. И. Ичетовкин, Л. А. Сейдман, Р. И. Тычкин | ||
| "... −power silicon transistors manufacturing with retention of their low thermal resistance. To this end we ..." | ||
| Том 23, № 4 (2020) | Самосинхронные схемы как база создания высоконадежных высокопроизводительных компьютеров следующего поколения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Зацаринный, Ю. А. Степченков, Ю. Г. Дьяченко, Ю. В. Рождественский | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование функционирования полупроводниковых приборов с учетом дефектов атомной структуры | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. К. Гайнуллин | ||
| "... of the selected transistor are calculated. An original program code was also developed for modeling ballistic ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... and other defects of the epitaxial layers of the source and drain regions of the nitride HEMT transistors ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... ) on the parameters of the high electron mobility transistors (HEMT) based on AlGaN/GaN heterostructures ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
| "... MOS transistors has been studied. Analysis of the development of today’s microelectronics shows ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..." | ||
| № 2 (2012) | АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков | ||
| "... voltage pulse switchers are investigated by laser thermal wave methods. Theoretical model of thermal wave ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Принципиально новые подходы к решению теплофизических задач применительно к наноэлектронике | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Хвесюк, А. А. Баринов, Б. Лю, В. Цяо | ||
| "... are necessary for calculating the effective thermal conductivity in ballistic and diffusion-ballistic regime ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
| "... of the ohimic contacts of RF transistors based on these heterostructures. This determines the reliability of GaN ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... of manufacturing fieldeffect transistors. The developed tools of mathematical modeling and optimization can be used ..." | ||
| № 2 (2013) | СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гусев, В. В. Старков, А. В. Тетерский | ||
| "... bipolar transistor is proposed. The results of experimental investigations converters light current ..." | ||
| Том 22, № 4 (2019) | Исследование тепловых характеристик нагревательного элемента из алюминия с нанопористым оксидом алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, К. В. Чернякова, И. А. Врублевский | ||
| "... In this work, we studied the thermal characteristics of flat heaters made of aluminum with a strip ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Математическое моделирование тепловых процессов при кассетной кристаллизации халькогенидов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб | ||
| "... -dimensional radiative — conductive analysis of thermal processes in the entire volume of the hot zone ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... the AlN nucleation layer and the GaN layer. Transistors fabricated on AlGaN/GaN structures grown on Si ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Пилотная установка по очистке «теплой жидкости» тетраметилсилана и проведения «неускорительных экспериментов» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Сиксин | ||
| "... Применение «теплой жидкости» тетраметилсилана (TMС) является актуальным в больших массивных ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Детектор на «теплой жидкости» для измерения дозных профилей от ионизирующих излучений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Сиксин | ||
| "... Актуальным является применение «теплой жидкости» тетраметилсилана (TMС) в ионизационных камерах для ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой | ||
| Том 24, № 4 (2021) | Расчет сопротивления Капицы на интерфейсе кремний - альфа-кварц для различных температур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... When considering the thermal processes of multilayer nanostructures, a significant part ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Вычисление эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешетки на основе кинетического уравнения Больцмана с использованием первопринципных расчетов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... In this work, we calculate the effective thermal conductivity coefficient for a binary ..." | ||
| № 2 (2014) | ПРОЦЕССЫ ВО ВРЕМЯ ОТЖИГА КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Ti—Al—Ni И Ti—Al—Ni—Au | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Синтез тонкопленочных магнитных структур для спин-орбитроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Телегин, Ж. Ж. Намсараев, В. Д. Бессонов, В. С. Теплов, А. В. Огнев | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..." | ||
| № 2 (2013) | ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ СОПРОВОЖДЕНИЯ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В МНОГОЗОННЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ УСТАНОВКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. М. Филиппов, А. И. Грибенюков, В. Е. Гинсар, Ю. В. Бабушкин | ||
| "... A system for control of crystal growth process in the multizone thermal installation ..." | ||
| 1 - 25 из 100 результатов | 1 2 3 4 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
