Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
| "... We have studied the transformation of radiation defects generated by proton implantation in n−type ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ВЛИЯНИЕ ВЫБОРА ПАРАМЕТРОВ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ РАСЧЕТОВ НА ПРЕДСКАЗАНИЯ ЭНЕРГЕТИКИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Г. Ганченкова, И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, В. А. Бородин | ||
| "... Point defects play a key role in many of the microelectronics device technologies. Knowledge ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий | ||
| "... bromide system using gold as the initiator of growth. The crystals were irradiated by protons ..." | ||
| Том 22, № 1 (2019) | О связи протонного облучения и термической обработки монокристаллического кремния с его структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Асадчиков, И. Г. Дьячкова, Д. А. Золотов, Ю. С. Кривоносов, В. Т. Бублик, А. И. Шихов | ||
| "... conductivity (ρ = 100 Om ⋅ cm) by orientation (111), 2 mm thick, implanted by protons with energy E = 200, 300 ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Формирование смешанного источника эпитепловых нейтронов и сканирующего пучка протонов на КПТ «Прометеус» для лечения опухолей в режиме флэш-терапии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Сиксин, И. Ю. Щеголев | ||
| "... neutrons and a scanning high-intensity pencil beam of protons were designed to irradiate the tumor in flash ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова | ||
| "... , the photoexcitation no longer influenced the redistribution of radiation−induced defects. The photoexcitation favors ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Многомасштабное моделирование кластеров точечных дефектов в полупроводниковых структурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. В. Мутигуллин, С. И. Уваров, О. В. Уварова | ||
| "... Clusters of point and extended defects, arising in semiconductors as a result of radiation ..." | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... the initial crystalline structure. The critical role in the formation of hidden defect layers belongs ..." | ||
| Том 22, № 1 (2019) | Спектральная диагностика колебательных центров в кристаллах с водородными связями | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Тимохин, В. М. Гармаш, В. А. Теджетов | ||
| "... of protons, hydronium ions Н3О+, protium H+, OH groups and molecules HDO. The good correlation ..." | ||
| № 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
| "... Comprehensive studies of the structure and electronic properties of defects occurring ..." | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование функционирования полупроводниковых приборов с учетом дефектов атомной структуры | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. К. Гайнуллин | ||
| "... electron transport in nanotransistors (topological dimensions of ~10 nm) taking into account defects ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НА БАЗЕ МОЛЕКУЛЯРНО–ДИНАМИЧЕСКОГО ПОДХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, О. В. Володина, С. И. Уваров | ||
| "... light−emitting diodes on the basis of silicon is theoretical research into the formation of point defect ..." | ||
| № 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин | ||
| "... of the deposition process and subsequent treatment which determine the defect composition of the material ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский | ||
| № 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
| "... The defects in silicon based multilayer epitaxial structures intended for power epitaxial ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| № 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
| "... ) was used to examine the defects induced by high energy krypton ion implantation. The DLTS spectra were ..." | ||
| № 3 (2012) | CТРУКТУРА ОБЪЕМНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ (Bi,Sb)2Te3, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ИСКРОВОГО ПЛАЗМЕННОГО СПЕКАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Т. Бублик, И. А. Драбкин, В. В. Каратаев, М. Г. Лаврентьев, В. Б. Освенский, Ю. Н. Пархоменко, Г. И. Пивоваров, А. И. Сорокин, Н. Ю. Табачкова | ||
| "... structural defects during sintering. ..." | ||
| № 3 (2012) | ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ (Bi,Sb)2Te3, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ИСКРОВОГО ПЛАЗМЕННОГО СПЕКАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. А. Драбкин, В. В. Каратаев, В. Б. Освенский, Ю. Н. Пархоменко, А. И. Сорокин, Л. П. Булат, Г. И. Пивоваров, В. Т. Бублик, Н. Ю. Табачкова | ||
| "... defects introduce essential contribution to the formation of nanostructured material thermoelectric ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... and low defect density in the bulk and at the layer boundaries are developed. It has been shown ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов | ||
| "... point defects in dislocation−free silicon single crystals. ..." | ||
| 1 - 25 из 67 результатов | 1 2 3 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
