Выпуск | Название | |
№ 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев | ||
"... photoresist mask with a 95 µm window, etching reached a depth of 58 µm. The FP−383 masks exhibited thinning ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. А. Сейдман | ||
"... . During plasmochemistry etching of silicon carbide one uses the mask the material of which does ..." | ||
Том 21, № 1 (2018) | Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин | ||
"... The etching of wafers of cadmium telluride in aqueous and nonaqueous solutions before ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, В. Е. Рогалин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
"... For the first time, a detailed comprehensive study of the "dry" etching of dislocation ..." | ||
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Ю. Белик | ||
"... and the relationship between etching parameters and porous layer properties. We show that the conductivity of porous ..." | ||
№ 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
"... and the results of a study of their structure depending on the conditions of electrochemical anodic etching ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
"... traces of crater formation, the generation of etching pits with a regular triangular shape was observed ..." | ||
Том 27, № 4 (2024) | Формирование антиотражающей структуры на поверхности монокристаллического кремния ускоренными ионами Xe | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. В. Зорина, М. С. Михайленко, А. Е. Пестов, А. А. Перекалов, Н. И. Чхало | ||
"... The paper studies the effect of ion-beam etching on the reflectivity characteristics of single ..." | ||
№ 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
"... by electrochemical etching in a solution of hydrofluoric acid without using additional deletions monocrystalline ..." | ||
№ 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко | ||
"... Nanoporous and nanotubular titanium oxide layers were fabricated by electrochemical etching ..." | ||
№ 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
"... of the etching process from one layer to another and determining the end of the etching process ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка | ||
"... control of reactive ion−beam etching of different dielectric thin film materials for electronics have ..." | ||
Том 22, № 4 (2019) | Основные подходы к моделированию формирования фоторезистивной маски в вычислительной литографии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Н. Балан, В. В. Иванов, А. В. Кузовков, Е. В. Соколова, Е. С. Шамин | ||
"... masks and the problems in which they are applied. The main stages of «full physical» modeling of mask ..." | ||
№ 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
"... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
"... . Investigation methods used were: mass spectroscopy of secondary ions, selective chemical etching on spherical ..." | ||
№ 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ДВУХСЛОЙНОЙ КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ Ti/Al | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Д. Ванюхин, Р. В. Захарченко, Н. И. Каргин, М. В. Пашков, Л. А. Сейдман | ||
"... more resistant to following anneals, oxidation and chemical etching. After annealing the surface ..." | ||
Том 24, № 3 (2021) | Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлев | ||
"... of undoped indium antimonide. Using an optical microscope, the etching pits were counted using the 9-field ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
"... ,36 мкм, Al2O3 толщиной 0,14 мкм и двухслойными композициями на их основе. В качестве исходного материала ..." | ||
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
"... условиях кристаллизации. Изучены размеры и характер распределения микровключений на полированных, травленых ..." | ||
Том 25, № 4 (2022) | Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Князев, А. В. Кудря, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, В. В. Ющук | ||
"... overviewed and experimental data have been presented. The selective etching method (optical light microscopy ..." | ||
Том 27, № 1 (2024) | Физические и технологические причины возникновения канальной неоднородности в монокристаллах InSb, сильнолегированных Te | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлёв, В. А. Чупраков, Р. Ю. Козлов, С. Н. Князев, А. Г. Белов | ||
№ 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
"... substrates by the method of electrolytic etching in fluoride containing solutions. Plates with different ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова | ||
"... etching. At the same time, based on grown layers there were produced MIS structures, and from calculation ..." | ||
№ 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
"... consecutive etching of layers. The erbium diffusion coefficient at 1240 °C was estimated to be 4.8 · 10−13 cm2 ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин | ||
"... to compression deformation. The same process with the use of original photo− mask, which allows local processing ..." | ||
1 - 25 из 47 результатов | 1 2 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)