Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... in silicon carbide substrates. The technological solution of these problems ion−stimulation plasmochemistry ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... carbide and the porous silicon. The porous layer was formed on the surface of the single crystal silicon ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... noted that most modern technological focus is the development of nitride heterostructures on silicon ..." | ||
| № 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
| "... Polycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ю. Белик | ||
| "... The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers ..." | ||
| № 2 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов | ||
| "... Silicon carbide thin epilayers were grown on Si substrates by pulsed laser ablation of ceramic ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon ..." | ||
| № 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
| "... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..." | ||
| № 3 (2014) | СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Н. Ермакова, С. В. Сысоев, Л. Д. Никулина, И. П. Цырендоржиева, В. И. Рахлин, М. Л. Косинова, Ф. А. Кузнецов | ||
| "... dielectric films of hydrogenated silicon carbide has been demonstrated. ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Формирование антиотражающей структуры на поверхности монокристаллического кремния ускоренными ионами Xe | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Зорина, М. С. Михайленко, А. Е. Пестов, А. А. Перекалов, Н. И. Чхало | ||
| "... -crystal silicon. The surface morphology formed during ion beam treatment was investigated and it was found ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Красин | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская | ||
| "... polycrystalline silicon processes have been analyzed. The predominant polycrystalline silicon technology ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
| "... Experimental results demonstrating the possibility of obtaining solar grade silicon ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
| "... of silicon) have been analyzed. We have found that the concentration range of doping for the two ..." | ||
| № 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon layers synthesized by electrochemical anodic treatment in an electrolyte based on a 12 % aqueous ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| "... −electronic emission in n−type silicon is higher than in p−type silicon. A model of ion−electronic emission ..." | ||
| № 1 (2012) | МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц | ||
| "... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..." | ||
| № 4 (2012) | НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов | ||
| "... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..." | ||
| № 2 (2014) | КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов | ||
| "... variables (x, y, z), taking on 0,1,2 , ..., 255 and corresponding to the number of atoms of silicon ..." | ||
| № 1 (2013) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров, И. С. Монахов | ||
| "... on silicon substrates are presented. ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Направленная кристаллизация твердых растворов Ge1-xSix | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Косушкин, С. И. Супельняк, Е. Н. Коробейникова, В. И. Стрелов | ||
| "... of germanium – silicon, the possibilities of developing the technology of obtaining homogeneous crystals ..." | ||
| 1 - 25 из 152 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
