Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ю. Белик | ||
| "... The paper describes a complex study of chemically etched porous silicon layers ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..." | ||
| № 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
| "... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
| № 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
| "... This paper presents the method for obtaining hidden layers of porous and nonporous silicon ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... carbide and the porous silicon. The porous layer was formed on the surface of the single crystal silicon ..." | ||
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... one of the problems of water photoelectrolysis on silicon electrodes, i.e. their energetic ..." | ||
| № 2 (2013) | ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, В. Н. Ципенюк | ||
| "... Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well ..." | ||
| № 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
| "... and contained no organic additives thus avoiding carbon contamination of the porous silicon during anodic ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Е. Кононова, А. С. Леньшин, М. Г. Аньчков, В. А. Мошников | ||
| "... Tin, iron and nickel oxides were prepared in micro porous silicon from sols. The morphology ..." | ||
| № 4 (2014) | СИНТЕЗ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С НАНОЧАСТИЦАМИ СЕРЕБРА МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, Д. В. Лебедев, А. А. Бухараев, А. Л. Степанов | ||
| "... In this paper a new technique for synthesis of porous silicon layers with silver nanoparticles ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОРИСТЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ ЗОЛЬ–ГЕЛЬ–МЕТОДАМИ | Аннотация похожие документы |
| В. С. Левицкий, А. С. Леньшин, А. И. Максимов, Е. В. Мараева, В. А. Мошников | ||
| "... The formation of porous structures in sol−gel systems based on silicon oxide and metal oxides, i ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк | ||
| "... to a strong oxidation of the porous matrix and eventual blockage of the tin diffusion channels. Optimization ..." | ||
| № 4 (2013) | СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Данько, С. А. Злобин, И. З. Индутный, И. П. Лисовский, В. Г. Литовченко, Е. В. Михайловская, П. Е. Шепелявый, Е. Бегун | ||
| "... technology of forming silicon nanoparticles in porous silicon oxide matrices has been performed. A physical ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко | ||
| "... of electrolytic etching, the impedance of a porous titanium oxide layer during almost the entire process ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... in silicon carbide substrates. The technological solution of these problems ion−stimulation plasmochemistry ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев | ||
| "... semiconductor compounds. The specimens were etched on a reactive ion etching instrument with an induction type ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... metallurgical silicon by the vertical Bridgman−Stockbarger method have been studied. The chemical composition ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Формирование антиотражающей структуры на поверхности монокристаллического кремния ускоренными ионами Xe | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Зорина, М. С. Михайленко, А. Е. Пестов, А. А. Перекалов, Н. И. Чхало | ||
| "... -crystal silicon. The surface morphology formed during ion beam treatment was investigated and it was found ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Моделирование времени до пробоя пористого диэлектрика в системе металлизации интегральных схем современного топологического уровня | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Орлов, А. А. Резванов | ||
| "... of the distribution of metal barrier ions in the dielectric, the time dependent breakdown of a porous low-k dielectric ..." | ||
| Том 22, № 4 (2019) | Исследование тепловых характеристик нагревательного элемента из алюминия с нанопористым оксидом алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, К. В. Чернякова, И. А. Врублевский | ||
| "... element from the metal base, a layer of porous anodic aluminum oxide with a thickness of 20 μm was formed ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| "... −electronic emission in n−type silicon is higher than in p−type silicon. A model of ion−electronic emission ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... The processes of gettering of fast-diffusing metal impurities and structure defects in silicon ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | «Кремний–2016»: ученые обсудили будущее электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Красин | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин | ||
| "... Исследовано травление подложек теллурида кадмия в водных и неводных растворах перед процессом ..." | ||
| 1 - 25 из 145 результатов | 1 2 3 4 5 6 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
