Выпуск | Название | |
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
"... −component microinclusions one micron in size in the multisilicon ingots grown at a crystallization speed ..." | ||
№ 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
"... The properties of Chochralski grown [100] undoped GaSb crystals with diameters > 60 mm have been ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В КОСМИЧЕСКОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, А. Э. Волошин | ||
"... Quantitative X−ray topography of GaSb : Te crystal, grown during unmanned Chinese space experiment ..." | ||
№ 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
"... Investigation on the properties of large [100]−oriented InSb single crystals grown by Czoсhralski ..." | ||
Том 19, № 2 (2016) | Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee | ||
"... efficiency observed for LEDs grown under nominally similar conditions could be attributed to the difference ..." | ||
№ 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
"... Polycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using ..." | ||
№ 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
"... and 40 mm in length grown by the modified floating zone technique from the charge of 79.8 at.% Si and 20 ..." | ||
Том 22, № 3 (2019) | Возможность использования потока инертного газа для управления качественными характеристиками выращиваемых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. В. Критская, В. Н. Журавлёв, В. С. Бердников | ||
"... industrial processes showed that the carbon content in the grown single crystals can be significantly reduced ..." | ||
№ 2 (2012) | ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ ЛАНТАН−ГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Н. А. Симинел | ||
"... of the first obtained luminescent properties of LGT crystals grown in different atmospheres are provided ..." | ||
№ 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
"... /AlGaN heterostructures grown on AlN substrates by chloride−hydride vapor phase epitaxy. The peak ..." | ||
Том 26, № 4 (2023) | Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата | Аннотация похожие документы |
Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, О. А. Бузанов | ||
"... and gallium oxide to above stoichiometric content have been grown by the Czochralski technique in iridium ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
"... have been presented. The AlGaN/GaN/Si heterostructures have been grown by MOCVD. We show that early ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов | ||
"... Cz growth of large diameter Ge single crystals has been studied. The crystals have been grown from ..." | ||
№ 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
"... layers were grown by chloride−hydride epitaxy method in a vertical reactor. The thickness control method ..." | ||
№ 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
"... In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown ..." | ||
№ 4 (2012) | НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов | ||
№ 1 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев | ||
"... grown. The surface morphology of the structures has been studied using atomic force microscopy (AFM ..." | ||
№ 1 (2012) | ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ОПТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ЛАНТАН–ГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. А. Бузанов, И. С. Диденко, Н. С. Козлова, А. П. Козлова, Е. А. Скрылева, Н. А. Симинел | ||
"... the polar cut {101 –0} samples made from crystals grown in athmospheres of argon (Ar), argon with oxygen (Ar ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
"... maps for experimental structures grown on different substrates have been given. ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова | ||
"... Dynamics of changes in fluorine atoms distribution through grown anodic oxide layer thickness ..." | ||
№ 4 (2012) | ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев | ||
"... grown by zone melting. The content of residual boron, phosphorus and arsenic impurities Nhas been ..." | ||
№ 4 (2013) | ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский | ||
"... A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Гоник | ||
"... For the first time silicon was grown by means of directional crystallization and using ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
"... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..." | ||
1 - 25 из 60 результатов | 1 2 3 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)