Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 4 (2013) | ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский | ||
| "... sublayer. If GaP nucleated with a gallium sublayer, the GaAs film has a significant lattice rotation around ..." | ||
| № 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
| "... films on the GaAs (x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Рынок монокристаллов GaAs — тенденции развития | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. П. Маянов, С. Н. Князев, А. В. Наумов | ||
| "... A review of the current state of the GaAs market as well as the state and the prospects ..." | ||
| № 3 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Н. Орлова, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко, К. И. Таперо | ||
| "... studies of single−degradation characteristics of solar cells (SE) based on GaAs with Ge substrate due ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... /GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing ..." | ||
| № 2 (2013) | ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Рогалин | ||
| "... , RbI, AgCl, CsI, KРС-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs и Ge. Experimentally and theoretically we compared ..." | ||
| Том 23, № 3 (2020) | Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев | ||
| "... Analysis of current GaAs and related device market initiated in a number of earlier works has been ..." | ||
| Том 28, № 1 (2025) | Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0,16Ga0,84As | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, Д. И. Рогило, К. С. Журавлев | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев | ||
| "... -GaAs from the characteristic points on far-infrared reflection spectra. It was shown that, in this case ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs | Аннотация похожие документы |
| М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова | ||
| "... Optical and electrophysical properties of Cz-grown zinc doped p-GaAs samples have been ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский | ||
| "... in the production of GaAs wafers. The main issue for obtaining high-quality plates is to determine the optimal ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| "... barrier (electron affinity) χ of Ge, Si, GaAs, GaP and SiC semiconductor materials. We found no clearly ..." | ||
| № 1 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев | ||
| "... incongruent evaporation. Island films on the basis of the intermediate phases forming in the Sn-Se have been ..." | ||
| № 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
| "... exceeding band gap width of investigated material. It is necessary to obtain sample photo−current dependence ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров | ||
| "... ) InSb and GaAs wafers are compared. It was found that the strength of GaAs cut wafers is 2 times higher ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Численное моделирование теплопереноса в полупроводниковых гетероструктурах | Аннотация похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... /GaAs nanostructure. The problem is solved using a hybrid finite-difference-mesh-free method based ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Синтез и исследование характеристик тонких, легированных железом пленок ZnO, осажденных методом химического спрей-пиролиза | Аннотация похожие документы |
| Т. Сринивасулу, К. Сарита, К. Рамакришна Редди | ||
| "... transmittance and wide band gap than the pure and highly Fe-doped ZnO films. The evaluated band gap showed a red ..." | ||
| № 3 (2013) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман | ||
| "... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, Е. В. Спесивцев, Д. В. Гуляев, А. М. Пугачев, Д. Г. Есаев | ||
| "... The In2O3 : Er films were deposited on Si substrates by the RF magnetron sputtering technique ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков | ||
| "... scattering in undoped GaAs/AlGaAs structures in which a two-dimensional gas of electrons or holes is created ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... Abstract. The article discusses the calculation of the temperature regime in nanoscale AlAs/GaAs ..." | ||
| Том 24, № 3 (2021) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, И. Б. Парфентьева | ||
| "... with the same data previously obtained for n-GaAs samples. Qualitative model has been suggested to explain ..." | ||
| Том 22, № 4 (2019) | Осцилляции Ааронова—Бома и распределения равновесных токов в открытой квантовой точке и кольцевом интерферометре | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, В. А. Ткаченко | ||
| "... Magnetotransport in submicron devices formed on the basis of GaAs/AlGaAs structures is simulated ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Вычисление эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешетки на основе кинетического уравнения Больцмана с использованием первопринципных расчетов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... semiconductor heterostructure using the GaAs/AlAs superlattice as an example. Different periods of layers ..." | ||
| 1 - 25 из 112 результатов | 1 2 3 4 5 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
