Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 19, № 3 (2016) Рынок монокристаллов GaAs — тенденции развития Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. П. Маянов, С. Н. Князев, А. В. Наумов
"... A review of the current state of the GaAs market as well as the state and the prospects ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев
"... Analysis of current GaAs and related device market initiated in a number of earlier works has been ..."
 
Том 24, № 1 (2021) Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев
"... -GaAs from the characteristic points on far-infrared reflection spectra. It was shown that, in this case ..."
 
Том 26, № 3 (2023) Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова
"... Optical and electrophysical properties of Cz-grown zinc doped p-GaAs samples have been ..."
 
№ 4 (2012) РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба
"... films on the GaAs (x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used ..."
 
№ 3 (2014) ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. Н. Орлова, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко, К. И. Таперо
"... studies of single−degradation characteristics of solar cells (SE) based on GaAs with Ge substrate due ..."
 
№ 3 (2013) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..."
 
Том 19, № 4 (2016) Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов
"... /GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing ..."
 
Том 24, № 3 (2021) Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-InAs Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, И. Б. Парфентьева
"... with the same data previously obtained for n-GaAs samples. Qualitative model has been suggested to explain ..."
 
Том 28, № 1 (2025) Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0,16Ga0,84As Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, Д. И. Рогило, К. С. Журавлев
 
№ 4 (2013) ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский
"... A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs Аннотация  похожие документы
М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев
 
Том 26, № 2 (2023) Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский
"... in the production of GaAs wafers. The main issue for obtaining high-quality plates is to determine the optimal ..."
 
№ 4 (2013) СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский
"... - sible to determine total contact resistance. The method was approbated on n−type semiinsulating GaAs ..."
 
№ 2 (2013) ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Е. Рогалин
"... , RbI, AgCl, CsI, KРС-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs и Ge. Experimentally and theoretically we compared ..."
 
№ 4 (2014) ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Некрасов, А. В. Наумов
"... of today’s global polysilicon market is given, including technology assessments, supply capabilities ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ИНВЕСТИЦИОННЫЕ ЦИКЛЫ РЫНКА ПОЛИКРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Наумов
"... A historical  review of the  market of polysilicon  from the 1980th has been provided ..."
 
Том 25, № 1 (2022) Новый этап развития рынка поликристаллического кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Наумов, Д. Л. Орехов
"... ) markets have been analyzed. A long period of low PS prices which hindered the growth of investments ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Митин, А. А. Кох
"... and power electronics and photovoltaics. The article includes polycrystalline silicon market dynamics ..."
 
Том 24, № 1 (2021) Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров
"... ) InSb and GaAs wafers are compared. It was found that the strength of GaAs cut wafers is 2 times higher ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Численное моделирование теплопереноса в полупроводниковых гетероструктурах Аннотация  похожие документы
К. К. Абгарян, И. С. Колбин
"... /GaAs nanostructure. The problem is solved using a hybrid finite-difference-mesh-free method based ..."
 
№ 3 (2014) ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров
 
Том 20, № 2 (2017) Синтез и магнетосопротивление кристаллов (Cd1−x Znx)3As2 (x = 0,007) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Кочура, Л. Н. Овешников, А. Ф. Князев, А. П. Кузьменко, А. Б. Давыдов, С. Ю. Гаврилкин, Е. А. Пилюк, В. С. Захвалинский, В. А. Кульбачинский, Б. А. Аронзон
 
Том 23, № 2 (2020) Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков
"... scattering in undoped GaAs/AlGaAs structures in which a two-dimensional gas of electrons or holes is created ..."
 
Том 27, № 3 (2024) Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов
"... свойства автоэпитаксиальных слоев арсенида индия. Структуры выращены методом хлоргидридной газофазной ..."
 
1 - 25 из 36 результатов 1 2 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)