Выпуск | Название | |
Том 19, № 3 (2016) | Рынок монокристаллов GaAs — тенденции развития | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. П. Маянов, С. Н. Князев, А. В. Наумов | ||
"... A review of the current state of the GaAs market as well as the state and the prospects ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев | ||
"... Analysis of current GaAs and related device market initiated in a number of earlier works has been ..." | ||
Том 24, № 1 (2021) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев | ||
"... -GaAs from the characteristic points on far-infrared reflection spectra. It was shown that, in this case ..." | ||
Том 26, № 3 (2023) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова | ||
"... Optical and electrophysical properties of Cz-grown zinc doped p-GaAs samples have been ..." | ||
№ 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
"... films on the GaAs (x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used ..." | ||
№ 3 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Н. Орлова, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко, К. И. Таперо | ||
"... studies of single−degradation characteristics of solar cells (SE) based on GaAs with Ge substrate due ..." | ||
№ 3 (2013) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман | ||
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
"... /GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing ..." | ||
Том 24, № 3 (2021) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, И. Б. Парфентьева | ||
"... with the same data previously obtained for n-GaAs samples. Qualitative model has been suggested to explain ..." | ||
Том 28, № 1 (2025) | Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0,16Ga0,84As | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, Д. И. Рогило, К. С. Журавлев | ||
№ 4 (2013) | ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский | ||
"... A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs | Аннотация похожие документы |
М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев | ||
Том 26, № 2 (2023) | Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский | ||
"... in the production of GaAs wafers. The main issue for obtaining high-quality plates is to determine the optimal ..." | ||
№ 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
"... - sible to determine total contact resistance. The method was approbated on n−type semiinsulating GaAs ..." | ||
№ 2 (2013) | ПРОЗРАЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ СО2-ЛАЗЕРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Е. Рогалин | ||
"... , RbI, AgCl, CsI, KРС-5, KPC-6, ZnSe, ZnS, GaAs и Ge. Experimentally and theoretically we compared ..." | ||
№ 4 (2014) | ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Некрасов, А. В. Наумов | ||
"... of today’s global polysilicon market is given, including technology assessments, supply capabilities ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ИНВЕСТИЦИОННЫЕ ЦИКЛЫ РЫНКА ПОЛИКРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Наумов | ||
"... A historical review of the market of polysilicon from the 1980th has been provided ..." | ||
Том 25, № 1 (2022) | Новый этап развития рынка поликристаллического кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Наумов, Д. Л. Орехов | ||
"... ) markets have been analyzed. A long period of low PS prices which hindered the growth of investments ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Митин, А. А. Кох | ||
"... and power electronics and photovoltaics. The article includes polycrystalline silicon market dynamics ..." | ||
Том 24, № 1 (2021) | Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров | ||
"... ) InSb and GaAs wafers are compared. It was found that the strength of GaAs cut wafers is 2 times higher ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Численное моделирование теплопереноса в полупроводниковых гетероструктурах | Аннотация похожие документы |
К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
"... /GaAs nanostructure. The problem is solved using a hybrid finite-difference-mesh-free method based ..." | ||
№ 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
Том 20, № 2 (2017) | Синтез и магнетосопротивление кристаллов (Cd1−x Znx)3As2 (x = 0,007) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Кочура, Л. Н. Овешников, А. Ф. Князев, А. П. Кузьменко, А. Б. Давыдов, С. Ю. Гаврилкин, Е. А. Пилюк, В. С. Захвалинский, В. А. Кульбачинский, Б. А. Аронзон | ||
Том 23, № 2 (2020) | Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков | ||
"... scattering in undoped GaAs/AlGaAs structures in which a two-dimensional gas of electrons or holes is created ..." | ||
Том 27, № 3 (2024) | Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов | ||
"... свойства автоэпитаксиальных слоев арсенида индия. Структуры выращены методом хлоргидридной газофазной ..." | ||
1 - 25 из 36 результатов | 1 2 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)