Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 23, № 2 (2020) | Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков | ||
| "... model considers these charges and the corresponding image charges in the metal gate as a closed system ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью носителей заряда. Рассмотрен ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | РАЗДЕЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР P+—N(P)—N+–ТИПА БЕСКОНТАКТНЫМ МЕТОДОМ ПО ОТНОШЕНИЯМ КОЭФФИЦИЕНТОВ СОБИРАНИЯ ПРИ ДВУХ ДЛИНАХ ВОЛН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев | ||
| "... these conditions. In this work we calculated nomograms for separate determination of the nonequilibrium charge ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Нестационарная модель массопереноса зарядов в самосогласованном электрическом поле для определения влияния температуры на электрофизические свойства металлооксидного мемристора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Бусыгин, Б. Х. Габдулин, С. Ю. Удовиченко, Н. А. Шулаев, А. Д. Писарев, А. Х. А. Ибрагим | ||
| "... A non-stationary one-dimensional physical and mathematical model of mass transfer of oxygen ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский | ||
| "... to a change in the magnitude of polarization charges both at the insulator-AlGaN interface and at the AlGaN ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs | Аннотация похожие документы |
| М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев | ||
| "... In the study of electron transport in low-dimensional structures, semiconductor heterostructures ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой | ||
| "... , a decrease in the value of a fixed positive charge in these structures is characteristic, but the appearance ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова | ||
| "... and the effective surface charge on InAs crystals under such layers has been studied. Anodic oxidation was performed ..." | ||
| № 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. И. Маняхин | ||
| "... and subsequent differentiation by the duration of the relaxation charge excitation pulse of the energy levels ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Влияние наночастиц Co–CoO на концентрацию носителей заряда в гибридной структуре на основе однослойного CVD графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Харченко, А. К. Федотов, С. А. Воробьева, А. О. Конаков, М. Д. Малинкович, М. В. Чичков, Н. А. Казимиров, Ю. А. Федотова, О. А. Ивашкевич | ||
| "... on the charge carrier concentration and carrier transport mechanisms in Co–CoO/graphene/SiO2 hybrid structures ..." | ||
| № 4 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова | ||
| "... Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Использование Оже-электронной спектроскопии и спектроскопии характерных потерь энергии электронов для комплексного анализа двумерных покрытий и процесса их роста | Аннотация похожие документы |
| Н. И. Плюснин | ||
| "... Additional possibilities for complex analysis of two-dimensional coatings (thickness <1 nm or <10 ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Влияние осаждения частиц кобальта на квантовые поправки к проводимости Друде в твистированном CVD графене | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. К. Федотов, С. Л. Прищепа, А. С. Федотов, В Э. Гуменник, И. В. Комиссаров, А. О. Конаков, С. А. Воробьева, О. А. Ивашкевич, А. А. Харченко | ||
| "... in graphene sheets and in the vicinity of metal / graphene interface. In this work, we studied the charge ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова | ||
| "... to a decrease in their mobility. The value of the charge that can form at the SiON/AlGaN interface has been ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... in the charge and density of states of AlGaN/GaN heterostructures are studied. The electrophysical parameters ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Эффект зарядовой связи в полевом элементе Холла на основе тонкопленочного КНИ МОП транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Леонов, В. Н. Мурашев, Д. Н. Иванов, В. Д. Кирилов | ||
| "... the coupling effect occurring in the double gate vertical topology of these sensing elements. Electrophysical ..." | ||
| № 2 (2013) | СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ЗАРЯДОВОЙ ПОДКАЧКОЙ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гусев, В. В. Старков, А. В. Тетерский | ||
| "... silicon converters structure with charges pumps (SCSCP) is lead. Charges pumps represented local n+-areas ..." | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Электрофизические свойства, мемристивное и резистивное переключение в заряженных доменных стенках в ниобате лития | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Кислюк, И. В. Кубасов, А. В. Турутин, А. А. Темиров, А. С. Шпортенко, В. В. Куц, М. Д. Малинкович | ||
| "... level, CDW in ferroelectrics are two-dimensional defects that separate regions of the material ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Квантовая лестница дырочной проводимости в кремниевых наносандвичах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов | ||
| "... The results of studying the quantum conductance staircase of holes in one−dimensional channels ..." | ||
| № 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин | ||
| "... annealing. The two different types of test MIS-structures with 30 nm gate oxide, polysilicon gate ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов | ||
| "... on the "silicon on insulator" structure with two control gates. To solve the problem, a two-level local-one ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
| "... and Qss were calculated. Based on experimental results it was confirmed that the embedded negative charge ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Квантово-химическое моделирование поверхностного модифицирования углеродной нанотрубки типа «кресло» оксидом кобальта | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Р. Эль Занин, С. В. Борознин | ||
| "... of its change were determined, the charge distribution in the obtained structures was analyzed ..." | ||
| 1 - 25 из 96 результатов | 1 2 3 4 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
