Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... optimization algorithms based on gradient methods. As an example, is considered heterostructure Al0.25GaN/GaN ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... The aim of this work was to study the influence of the iron and carbon doping of the epitaxial GaN ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович | ||
| "... nitride nanoheterostructures with tB less than 10 nm. In this respect the AlN/GaN heterostructures ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
| "... of the ohimic contacts of RF transistors based on these heterostructures. This determines the reliability of GaN ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... in the charge and density of states of AlGaN/GaN heterostructures are studied. The electrophysical parameters ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... ) on the parameters of the high electron mobility transistors (HEMT) based on AlGaN/GaN heterostructures ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова | ||
| "... plasma action during the deposition of a SiON film on the electrical parameters of SiON/AlGaN/GaN ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин | ||
| "... because these films are widely used as buffer layers for GaN−based semiconductor heterostructures growth ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев | ||
| "... of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... transistors made of GaN/AlGaN/GaN/SiC heterostructures. Ohmic burning contacts were formed using ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... been discussed. Some results of GaN/Si heterostructures technology development in «Elma−Malachit» JSC ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой | ||
| "... of free carriers in the channel of a two-dimensional gas of SiNx/AlGaN/GaN heterostructures. It is shown ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... A complex of studies of the AlGaN/GaN heterostructures and the AlGaN/GaN/SiC HEMT-transistors ..." | ||
| № 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
| "... The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... faced when standard models of different heterostructures with a controlled level of mechanical stresses ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... /GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... binary heterostructures. When modeling heat transfer in nanocomposites, it is important to take ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs | Аннотация похожие документы |
| М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев | ||
| "... In the study of electron transport in low-dimensional structures, semiconductor heterostructures ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, В. А. Харченко | ||
| "... of heterostructures and their synthesis for specific types of microwave components taking into account ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Вычисление эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешетки на основе кинетического уравнения Больцмана с использованием первопринципных расчетов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... semiconductor heterostructure using the GaAs/AlAs superlattice as an example. Different periods of layers ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... to the formation of heterostructures on SiC/Si was conducted by the method of gas endotaxin in a hydrogen stream ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Численное моделирование теплопереноса в полупроводниковых гетероструктурах | Аннотация похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... and efficient evolution of hydrogen during water electrolysis. The por−Si/c−Si heterostructure allows solving ..." | ||
| 1 - 25 из 110 результатов | 1 2 3 4 5 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
