| Выпуск | Название | |
| Том 21, № 3 (2018) | Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... Аннотация. Проведен расчет температурного режима в наноразмерных бинарных гетероструктурах AlAs ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... Рассмотрена проблема выбора архитектуры буферных слоев при разработке типовых моделей различных ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Вычисление эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешетки на основе кинетического уравнения Больцмана с использованием первопринципных расчетов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... полупроводниковой гетероструктуры на примере сверхрешетки GaAs/AlAs для различных периодов слоев и при различных ..." | ||
| Том 20, № 3 (2017) | Обратная коэффициентная задача теплопереноса в слоистых наноструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Р. Г. Носков, Д. Л. Ревизников | ||
| "... с технологией изготовления гетероструктур, что обуславливает необходимость определения соответствующих ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКИХ ПЛЕНОК AlN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин | ||
| "... Тонкие пленки нитрида алюминия часто применяют в качестве буферного слоя при выращивании ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... типичных С—V−характеристик для гетероструктур с верхними нелегированными слоями i−AlGaN и i−GaN при толщине ..." | ||
| Том 28, № 1 (2025) | Параметры омических контактов и учет влияния реальных размеров образцов на полевую зависимость дрейфовой скорости в слоях In0,16Ga0,84As | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Кузнецов, Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, В. Я. Костюченко, Д. И. Рогило, К. С. Журавлев | ||
| "... Рассмотрен способ получения омического контакта к слоям In0.16Ga0.84As. Контактное сопротивление ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Эволюция системы моделей и алгоритмов для расчетов параметров технологических процессов получения материалов микро- и наноэлектроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Крапухин, В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов, В. Г. Костишин, Д. Г. Муратов, А. В. Попкова | ||
| "... , эпитаксиальных слоев и гетероструктур и определены возможности их практического использования. Показано, что идеи ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... гетероструктур. Поставлена и решена задача, связанная с определением оптимального легирования барьерного слоя ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... В работе исследовано влияние процесса легирования железом и углеродом эпитаксиального слоя GaN ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... зародышевым слоем AlN и слоем GaN. Транзисторы, изготовленные на основе выращенных гетероструктур AlGaN/GaN ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев | ||
| "... дифракции одновременно от кристаллических решеток нескольких слоев гетероструктуры и интерференционные пики ..." | ||
| Том 24, № 4 (2021) | Расчет сопротивления Капицы на интерфейсе кремний - альфа-кварц для различных температур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... рассеивается на границах слоев, для учета этого фактора при моделировании используется сопротивление Капицы ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, В. А. Харченко | ||
| "... гетероструктур, базирующихся на отечественных материалах и технологиях, с привязкой к конкретным типам СВЧ ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... , электрофизических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур на основе кремния, содержащих слои ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
| "... называемая желтая люминесценция), определяется глубокими уровнями в буферном слое GaN гетерооструктур ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович | ||
| "... заданной рабочей частоте определяются толщиной барьерного слоя гетероструктур, улучшаясь при его ..." | ||
| Том 24, № 2 (2021) | Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Евдокимов | ||
| "... Предложена молекулярно-кинетическая модель процесса осаждения слоев из газовой фазы, включающая ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью носителей заряда. Рассмотрен ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова | ||
| "... многослойные периодические структуры с псевдоморфными слоями и слоями, содержащими массив островков GeSiSn ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... эпитаксиальных слоев в областях истока и стока нитридных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
| "... транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур AlGaN/GaN. На основании ..." | ||
| № 1 (2014) | ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко, А. С. Турцевич, И. И. Рубцевич, Я. А. Соловьев, А. Ф. Керенцев | ||
| "... . Показано, что предложенные методики полезны при решении технологических проблем формирования слоев посадки ..." | ||
| № 2 (2014) | КЛЕТОЧНО–АВТОМАТНАЯ МОДЕЛЬ РАЗДЕЛЕНИЯ ФАЗ ПРИ ОТЖИГЕ СЛОЕВ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин, С. В. Коробов | ||
| "... Предложена модель, имитирующая эволюцию структуры слоя SiOm (m < 2) толщиной порядка ..." | ||
| 1 - 25 из 49 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)





























