Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 24, № 2 (2021) Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Л. Евдокимов
"... Proposed the molecular-kinetic model of formation of layers from the gas phase, including complex ..."
 
Том 19, № 3 (2016) Буферные слои в гетероструктурах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... The problem of choosing the architecture of buffer layers is considered. This is typical problem ..."
 
№ 2 (2013) О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. Ю. Эрвье
"... A kinetic model of the doping processes in molecular beam epitaxy is developed. The dopant ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников
"... nitride SiNx films deposition by the chemical vapor deposition in an inductively coupled plasma (ICP CVD ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом Аннотация  похожие документы
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев
"... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..."
 
Том 20, № 1 (2017) УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова
"... This work deals with elastically strained GeSiSn films and GeSiSn islands. Kinetic diagram ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown ..."
 
Том 27, № 1 (2024) Тонкие пленки Y3Fe5O12/Ba0,8Sr0,2TiO3: синтез и перспективы интеграции Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, А. И. Стогний, Г. В. Чучева
"... coefficients, as well as to prevent chemical interaction of film and substrate materials, a buffer layer of TiO ..."
 
№ 4 (2013) ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко
"... This article presents research results on the formation kinetics and structure of mesoporous ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Синтез и исследование характеристик тонких, легированных железом пленок ZnO, осажденных методом химического спрей-пиролиза Аннотация  похожие документы
Т. Сринивасулу, К. Сарита, К. Рамакришна Редди
"... chemical spray pyrolysis technique by varying the doping concentration in the range, 0–6 at.% at a constant ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин
"... Theoretical analysis of optimization options for the properties of CdTe absorber layer ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ю. Белик
"... silicon is similar to that of amorphous silicon. Chemical etching allows creating porous layers ..."
 
Том 25, № 1 (2022) Применение методов рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии для анализа нарушенного слоя полярных граней ZnO после химико-механической обработки поверхности Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Д. Щербачев, М. И. Воронова
"... LEDs imposes strict requirements to surface quality. Chemical-mechanical polishing delivers good ..."
 
Том 26, № 1 (2023) Магнитоэлектрический эффект в трехслойных градиентных композитах LiNbO3/Ni/метглас Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Куц, А. В. Турутин, А. М. Кислюк, И. В. Кубасов, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, М. Д. Малинкович, Н. А. Соболев, Ю. Н. Пархоменко
"... temperature for the formation of the maximum remanent magnetization of the Ni layer in a constant magnetic ..."
 
Том 27, № 1 (2024) Получение кремний-углеродных пленок методом плазмохимического осаждения с индукционным ассистированием Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Темиров, И. В. Кубасов, А. В. Турутин, Т. С. Ильина, А. М. Кислюк, Д. А. Киселев, Е. А. Скрылева, Н. А. Соболев, И. А. Салимон, Н. В. Батрамеев, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко
"... – high hardness, adhesion to a wide class of materials, abrasion resistance, as well as chemical ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Использование Оже-электронной спектроскопии и спектроскопии характерных потерь энергии электронов для комплексного анализа двумерных покрытий и процесса их роста Аннотация  похожие документы
Н. И. Плюснин
"... changes in the electron density in the near-interface layer of silicon; B) attenuation of the Auger signal ..."
 
№ 4 (2012) ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова
 
№ 1 (2012) МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..."
 
№ 1 (2013) ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин
"... The influence of the epitaxial layer features and so silicon-sapphire interface in SOS-structures ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..."
 
№ 4 (2012) НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов
"... parameters providing for the growth of homogeneous 3C−SiC layers with smooth surfaces and high adhesion have ..."
 
№ 1 (2013) ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
"... -gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo ..."
 
№ 3 (2014) ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров
"... A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed ..."
 
1 - 25 из 199 результатов 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)