Выпуск | Название | |
Том 24, № 2 (2021) | Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Л. Евдокимов | ||
"... Proposed the molecular-kinetic model of formation of layers from the gas phase, including complex ..." | ||
Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Харченко | ||
"... The problem of choosing the architecture of buffer layers is considered. This is typical problem ..." | ||
№ 2 (2013) | О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Ю. Эрвье | ||
"... A kinetic model of the doping processes in molecular beam epitaxy is developed. The dopant ..." | ||
Том 23, № 2 (2020) | Оптимизация процесса пассивации при изготовлении СВЧ-транзисторов на основе AlGaN/GaN гетероструктур методом ICP CVD | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Слепцова, С. В. Черных, Д. А. Подгорный, И. А. Жильников | ||
"... nitride SiNx films deposition by the chemical vapor deposition in an inductively coupled plasma (ICP CVD ..." | ||
№ 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
"... The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
"... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова | ||
"... This work deals with elastically strained GeSiSn films and GeSiSn islands. Kinetic diagram ..." | ||
№ 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
"... In present work the influence of growth conditions on structural quality of AlN layers grown ..." | ||
Том 27, № 1 (2024) | Тонкие пленки Y3Fe5O12/Ba0,8Sr0,2TiO3: синтез и перспективы интеграции | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, А. И. Стогний, Г. В. Чучева | ||
"... coefficients, as well as to prevent chemical interaction of film and substrate materials, a buffer layer of TiO ..." | ||
№ 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
"... This article presents research results on the formation kinetics and structure of mesoporous ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Синтез и исследование характеристик тонких, легированных железом пленок ZnO, осажденных методом химического спрей-пиролиза | Аннотация похожие документы |
Т. Сринивасулу, К. Сарита, К. Рамакришна Редди | ||
"... chemical spray pyrolysis technique by varying the doping concentration in the range, 0–6 at.% at a constant ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин | ||
"... Theoretical analysis of optimization options for the properties of CdTe absorber layer ..." | ||
№ 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Ю. Белик | ||
"... silicon is similar to that of amorphous silicon. Chemical etching allows creating porous layers ..." | ||
Том 25, № 1 (2022) | Применение методов рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии для анализа нарушенного слоя полярных граней ZnO после химико-механической обработки поверхности | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Д. Щербачев, М. И. Воронова | ||
"... LEDs imposes strict requirements to surface quality. Chemical-mechanical polishing delivers good ..." | ||
Том 26, № 1 (2023) | Магнитоэлектрический эффект в трехслойных градиентных композитах LiNbO3/Ni/метглас | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Куц, А. В. Турутин, А. М. Кислюк, И. В. Кубасов, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, М. Д. Малинкович, Н. А. Соболев, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... temperature for the formation of the maximum remanent magnetization of the Ni layer in a constant magnetic ..." | ||
Том 27, № 1 (2024) | Получение кремний-углеродных пленок методом плазмохимического осаждения с индукционным ассистированием | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Темиров, И. В. Кубасов, А. В. Турутин, Т. С. Ильина, А. М. Кислюк, Д. А. Киселев, Е. А. Скрылева, Н. А. Соболев, И. А. Салимон, Н. В. Батрамеев, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... – high hardness, adhesion to a wide class of materials, abrasion resistance, as well as chemical ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Использование Оже-электронной спектроскопии и спектроскопии характерных потерь энергии электронов для комплексного анализа двумерных покрытий и процесса их роста | Аннотация похожие документы |
Н. И. Плюснин | ||
"... changes in the electron density in the near-interface layer of silicon; B) attenuation of the Auger signal ..." | ||
№ 4 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова | ||
№ 1 (2012) | МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц | ||
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..." | ||
№ 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин | ||
"... The influence of the epitaxial layer features and so silicon-sapphire interface in SOS-structures ..." | ||
Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
"... electrophysical parameters of AlGaN/GaN epitaxial layer heterostructures grown on them. Regions with internal ..." | ||
№ 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
"... parameters providing for the growth of homogeneous 3C−SiC layers with smooth surfaces and high adhesion have ..." | ||
№ 1 (2013) | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух | ||
"... -gap layers with elevated composition strongly affect on dependencies of the capacitance and the photo ..." | ||
№ 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
"... A method of non−destructive contactless control of thickness of undoped autoepitaxial InAs layers ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
"... for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed ..." | ||
1 - 25 из 199 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)