Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2013) | ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МДП–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО HgCdTe, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ, C НЕОДНОРОДНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ СОСТАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух | ||
| "... The electro-physical and photoelectrical properties of MIS structures based on HgCdTe MBE with non ..." | ||
| № 4 (2013) | О ВЛИЯНИИ ПОДСВЕТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦАМ CdTe | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Г. Белов, В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов | ||
| № 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ СВОЙСТВ СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МДП/КНС–СТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер, С. А. Капилин | ||
| "... —сапфир в структурах кремний-на-сапфире (КНС) на емкостные параметры МДП-структур, сформированных на КНС с ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов | ||
| "... ) характеристики металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) структуры Al/SiO2/Si. При выбранной энергии пучка глубина ..." | ||
| № 4 (2013) | ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский | ||
| "... (MBE) on the nucleation method of early GaP buffer layers (50 nm) on the vicinal substrate Si(001) 4 ..." | ||
| № 2 (2013) | О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Ю. Эрвье | ||
| "... молекулярно-лучевой эпитаксии. Сделано предположение, что встраивание примеси в поверхностный слой легируемого ..." | ||
| № 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
| "... /AlGaN, выращенных на подложках AlN методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Пиковые длины волн находятся в ..." | ||
| № 1 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОС–ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... МОС-гидридной эпитаксии на подложках a-Al2O3. Показано, что наиболее эффективным способом повышения ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид–гидридной эпитаксии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Я. Поляков, Jin−Hyeon Yun, А. С. Усиков, Е. Б. Якимов, Н. Б. Смирнов, К. Д. Щербачев, Н. Helava, Y. N. Makarov, С. Ю. Курин, Н. М. Шмидт, О. И. Рабинович, С. И. Диденко, С. А. Тарелкин, Б. П. Папченко, In−Hwan Lee | ||
| "... ближней ультрафиолетовой (УФ) области и выращенных методом хлорид−гидридной эпитаксии. Обнаружены различия ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВЕРХТОНКИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРАНАТА МЕТОДОМ КОНВЕРСИОННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МЕССБАУЭРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Мокляк | ||
| "... граната ориентации (111), выращенной методом жидкофазной эпитаксии. Установлен факт нарушения ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Эволюция системы моделей и алгоритмов для расчетов параметров технологических процессов получения материалов микро- и наноэлектроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Крапухин, В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов, В. Г. Костишин, Д. Г. Муратов, А. В. Попкова | ||
| Том 20, № 1 (2017) | УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ОПТИМИЗАЦИИ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ МЕТОДОМ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Н. Красиков, А. В. Книжник, А. В. Гавриков, Б. В. Потапкин | ||
| "... Theoretical analysis of optimization options for the properties of CdTe absorber layer ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин, О. В. Торопова, Т. В. Критская | ||
| "... Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge ..." | ||
| № 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
| "... слои были выращены методом хлоридно−гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе. В основе методики ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова | ||
| "... МДП−структуры, из расчета вольт−фарадных характеристик которых определены значения эффективного ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... обнаружено наличие ряда примесей, попадающих в них в процессе эпитаксии. ..." | ||
| № 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
| "... эпитаксии. ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
| "... высокочастотных C—V-характеристик МДП-структур с однослойными диэлектрическими пленками: SiO2 толщиной 0,10 и 0 ..." | ||
| № 2 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев | ||
| "... , что в процессе эпитаксии решетка пленки поворачивается вокруг направления поверхностных ступеней в ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... пластин, процедуры подготовки подложек к процессу эпитаксии, композиции буферных слоев. Отмечено, что ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... МОСVD-эпитаксией. Для уточнения распределения эпитаксиальных слоев по глубине гетероструктур проведен ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов | ||
| "... эпитаксии на сильнолегированных подложках n+-InAs. Сульфидная пассивация подложек проводилась в одномолярном ..." | ||
| 1 - 25 из 25 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
