Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 4 (2013) | ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский | ||
| "... A significant dependence of the strain state of GaAs film lattice grown by molecular−beam epitaxy ..." | ||
| № 2 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев | ||
| "... The structural state of GexSi1−x films grown on Si substrates with the vicinal orientation (1 1 13 ..." | ||
| № 1 (2014) | ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев | ||
| "... dislocation families is obtained for the first time. It is valid for various interface boundaries (hkl ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
| "... The influence of aluminum oxide films obtained by high-frequency cathode sputtering of an Al2O3 ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ПОВЕРХНОСТНОЕ ДИПОЛЬНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ СУБМИКРОННЫХ ПЛЕНОК ПОЛИДИФЕНИЛЕНФТАЛИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Д. Карамов, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович, В. М. Корнилов, А. М. Лачинов, Р. М. Гадиев | ||
| "... range thicknesses. We have experimentally studied submicron dielectric films of electrically active ..." | ||
| Том 28, № 1 (2025) | Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов | ||
| "... with the minimum of resistivity. This is due to titanium silicides formation on the Si/Ti interface. It also known ..." | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов | ||
| "... the melt with various shapes of the crystallization front. The formation of dislocation low angle ..." | ||
| № 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
| "... defects are two types of dislocation structure: orthogonal dislocation network composed of two screw ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Определение оптических параметров пленок ниобата лития методом спектрофотометрии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Козлова, В. Р. Шаяпов, Е. В. Забелина, А. П. Козлова, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович, М. И. Воронова | ||
| "... Lithium niobate films on silicon substrates were synthesized by high−frequency magnetron ..." | ||
| Том 24, № 4 (2021) | Расчет сопротивления Капицы на интерфейсе кремний - альфа-кварц для различных температур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... interface (alpha-quartz) structures for the temperature range up to 567 K. The calculations are carried out ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... (interfaces). In this regard, the use of classical numerical models based on the Fourier law is limited ..." | ||
| № 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
| "... , to improve the electronic parameters of the films and the substrates at the interface, and to produce ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Плюснин | ||
| "... concentration of defects in the film, especially at its substrate interface. The material also contains stress ..." | ||
| Том 23, № 1 (2020) | Материаловедческие вопросы термодинамического моделирования тонкопленочных твердотельных электрокалорических охладителей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. Суханек, Л. Фельсберг, Г. Герлах | ||
| "... model of a layered EC refrigerator. Special attention was paid to thermal and interface thermal ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский | ||
| "... film. Changes in the transport properties (conductivity and mobility) of the canal and capacitive ..." | ||
| Том 20, № 3 (2017) | Обратная коэффициентная задача теплопереноса в слоистых наноструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, Р. Г. Носков, Д. Л. Ревизников | ||
| "... is the dominant role of contact thermal resistance at interlayer interfaces. Since the contact resistance depends ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова | ||
| "... In this work, the influence of deep levels formed at the SiON/AlGaN interface under the nitrogen ..." | ||
| № 3 (2014) | СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Н. Ермакова, С. В. Сысоев, Л. Д. Никулина, И. П. Цырендоржиева, В. И. Рахлин, М. Л. Косинова, Ф. А. Кузнецов | ||
| "... of film deposition. The possibility of using trimethyl(phenyl)silane in CVD processes for producing ..." | ||
| № 1 (2014) | МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина, А. В. Клочихина, Д. В. Тарасова, В. Р. Халилов, А. А. Полисан, Юрий Николаевич Пархоменко | ||
| "... has been investigated in a buffer consisting of epitaxial films of cerium oxide СеО2 and lanthanum ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... Abstract. In this paper are considers the effect of the microrelief, dislocation structure ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин | ||
| "... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..." | ||
| 1 - 25 из 152 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
