Выпуск | Название | |
№ 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
"... misorientation of bonded wafers. It has been established that the deep centers are related to the dislocation ..." | ||
№ 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ БИЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА С ЗАДАННЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ В ОБЪЕМЕ КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ ЦЕНТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Б. Васильев, Н. А. Верезуб, М. В. Меженный, В. С. Просолович, А. И. Простомолотов, В. Я. Резник | ||
"... in dislocation−free silicon wafers. The RTA application is based on an opportunity of effective influence ..." | ||
№ 4 (2012) | ВОДОРОДНО–ИНДУЦИРОВАННОЕ СКАЛЫВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Н. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан | ||
Том 20, № 2 (2017) | Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин | ||
"... −doped silicon wafers produced by the Czochralski (Cz−Si) was studied by the method of triple−X−ray ..." | ||
№ 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
"... ) penetrate to depths of ~ 1μm. A phenomenological model of the D1−line dislocation−related luminescence ..." | ||
№ 1 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком | ||
"... Through three−layered structure has been formed on silicon wafers 500 microns thick ..." | ||
№ 3 (2014) | МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ НЕРАЗРУШАЮЩИХ РЕЖИМОВ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев | ||
"... Single−side heating of a wafer with a free surface by pulse laser annealing has been analyzed ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ БЕТА–ВОЛЬТАИЧЕСКИХ ГЕНЕРАТОРОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. Д. Малинкович, А. С. Быков, И. В. Кубасов, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, Р. Н. Жуков, А. А. Темиров, Н. Г. Тимушкин, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... кремниевой балки с пьезоэлементом на однородный кантилевер, представляющий собой тонкую пластину из ..." | ||
Том 25, № 4 (2022) | Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Князев, А. В. Кудря, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, В. В. Ющук | ||
"... and strengthens the requirements to their structural perfection. Dislocation density and distribution pattern ..." | ||
Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Харченко | ||
"... of the generation of dislocations, which ultimately can determine the mechanical strength of the silicon wafer ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев | ||
"... and longer terms the world GaAs wafer and epitaxial structure markets will continue growing. In the shorter ..." | ||
№ 2 (2012) | АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков | ||
Том 24, № 1 (2021) | Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев, Р. Ю. Козлов, Д. А. Завражин, Е. В. Жарикова, Ю. В. Сыров | ||
"... ). It is shown that the dependence of strength on processing for wafers with (100) orientation is similar ..." | ||
Том 19, № 2 (2016) | Анизотропия деформации плаcтин монокристаллов ниобата лития Y + 128°–среза с бидоменной структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Кубасов, А. В. Попов, А. С. Быков, А. А. Темиров, А. М. Кислюк, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. В. Чичков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... wafers of lithium niobate in an external electric field. Dependencies of piezoelectric coefficients ..." | ||
№ 3 (2014) | ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин | ||
"... diffusion from the bulk toward the dislocations. The specific features of the luminescence spectra ..." | ||
№ 3 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ МЕТОДОМ СТАЦИОНАРНОГО ВНЕШНЕГО НАГРЕВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Быков, С. Г. Григорян, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, И. В. Кубасов, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... The method of bidomain structure synthesis in lithium niobate single crystal wafers based ..." | ||
№ 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
"... . It was found that the non−uniformity in undoped crystals does not exceed 10—16%. The average dislocation ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский | ||
"... in the production of GaAs wafers. The main issue for obtaining high-quality plates is to determine the optimal ..." | ||
№ 2 (2013) | СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИК–ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (Y1-xYbx)3Al5O12 ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. И. Поздняков, В. А. Воробьев, О. Я. Манаширов | ||
"... solutions (Y1-xYbx)3Al5O12 with laser excitation. The spectra of infrared luminescence excited by a laser ..." | ||
Том 20, № 3 (2017) | Выращивание из поликристаллического кремния солнечного качества квазимонокристаллических (mono-like) слитков методом направленной кристаллизации | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier, P. Lay, G. Fortin, L. Bounaas, Д. М. Скаков, Д. А. Калыгулов, А. А. Павлов, Т. С. Турмагамбетов, В. В. Ли | ||
"... of the mc-SoG-Si for growing silicon ingots by monolike process should contribute to the ingot and wafer ..." | ||
№ 2 (2012) | ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ ЛАНТАН−ГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Н. А. Симинел | ||
№ 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин | ||
"... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
"... Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single ..." | ||
№ 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
"... silicon wafers 100 mm in diameter rather than for small size samples often used to save silicon ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
"... activated by trivalent rare earth ions Yb3+ and Er3+. IR luminescence spectra of samples with a single ..." | ||
1 - 25 из 91 результатов | 1 2 3 4 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)