Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2014) | ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев | ||
| "... The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families ..." | ||
| № 2 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев | ||
| "... to the introduction of misfit dislocations into the interface. Dislocations with Burgers vector a/2<110> which ..." | ||
| № 3 (2012) | О НЕКОТОРЫХ МЕТОДАХ ИНДУЦИРОВАНИЯ ВЫСОКОКОЭРЦИТИВНОГО СОСТОЯНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ МАГНИТНЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ТЕРМОМАГНИТНОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Костишин, А. Т. Морченко, Д. Н. Читанов, В. М. Трухан | ||
| "... параметров кристаллических решеток в монокристаллических эпитаксиальных пленках ферритов−гранатов. Показано ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..." | ||
| № 1 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Л. Шульпина, В. А. Козлов | ||
| "... the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square ..." | ||
| № 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
| "... defects are two types of dislocation structure: orthogonal dislocation network composed of two screw ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин | ||
| "... эпитаксиального наращивания структур CdxHg1-xTe и его влияние на качество поверхности эпитаксиальных слоев. В ..." | ||
| Том 25, № 3 (2022) | Технология и термомеханика при выращивании трубчатых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, А. И. Простомолотов, И. В. Силаев | ||
| "... The problem of growing high-resistance low-dislocation tubular silicon single crystals for non ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек | ||
| "... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин | ||
| "... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..." | ||
| № 3 (2014) | ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин | ||
| "... Germanium is a relevant object for research into the influence of dislocations on electronic ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина | ||
| "... Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single ..." | ||
| № 1 (2014) | МАГНИТНЫЙ СТРУКТУРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦЕРИЯ И ЦИРКОНАТА ЛАНТАНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина, А. В. Клочихина, Д. В. Тарасова, В. Р. Халилов, А. А. Полисан, Юрий Николаевич Пархоменко | ||
| "... количества малоугловых (<5°) межзеренных границ в эпитаксиальном сверхпроводящем слое YBCO в результате ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов ..." | ||
| № 2 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ И СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC НА КРЕМНИИ МЕТОДАМИ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ И РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Гусев, С. М. Рындя, А. В. Зенкевич, Н. И. Каргин, Д. В. Аверьянов, М. М. Грехов | ||
| "... Методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены субмикронные эпитаксиальные ..." | ||
| № 3 (2014) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ ИНФРАКРАСНОЙ ФУРЬЕ–СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров | ||
| Том 23, № 3 (2020) | Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев | ||
| "... перспективе мировые рынки пластин и эпитаксиальных структур GaAs будут расти. В ближайшей перспективе ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов | ||
| "... the melt with various shapes of the crystallization front. The formation of dislocation low angle ..." | ||
| Том 25, № 4 (2022) | Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Н. Князев, А. В. Кудря, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, В. В. Ющук | ||
| "... and strengthens the requirements to their structural perfection. Dislocation density and distribution pattern ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных AlGaN/GaN/SiC–HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер, В. И. Корнеев | ||
| "... Abstract. In this paper are considers the effect of the microrelief, dislocation structure ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... плазмохимическим травлением подложек SiC с нанесенными на них эпитаксиальными слоями GaN, — это получение в них ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Р. Велиханов | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Геттеры в кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, В. Е. Рогалин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова | ||
| "... For the first time, a detailed comprehensive study of the "dry" etching of dislocation ..." | ||
| 1 - 25 из 50 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
