Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 26, № 2 (2023) Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, В. Е. Рогалин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова
"... and dislocation-free germanium samples on the {111}, {110} and {100} planes has been carried out. Etching ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова
"... Modification of the polished {111} surface of single-crystal germanium (n-type, resistivity 47 Ohm ..."
 
Том 18, № 4 (2015) ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов
"... obtained Ge single crystals with a diameter of100 mmand more, with a low dislocations density and free from ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УЛУЧШЕНИЯЭНЕРГОМАССОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
П. Б. Лагов, А. С. Дренин, Е. С. Роговский, А. М. Леднев
"... been conducted to assess the efficiency of plasma−chemical etching of (100) orientation single crystal ..."
 
№ 2 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ МАЛОУГЛОВОЙ ГРАНИЦЫ В ВИЦИНАЛЬНОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЕ GeSi/Si (001) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Колесников, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, И. Д. Лошкарев
"... to the introduction of misfit dislocations into the interface. Dislocations with Burgers vector a/2<110> which ..."
 
Том 25, № 4 (2022) Методы исследования дислокационной структуры полупроводниковых монокристаллов группы AIIIBV Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Князев, А. В. Кудря, Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, В. В. Ющук
"... and strengthens the requirements to their structural perfection. Dislocation density and distribution pattern ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом Аннотация  похожие документы
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев
"... layer on sapphire on the growth features of epitaxial films and their dislocation structure ..."
 
№ 4 (2014) РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЦЕНТРОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ D1 В КРЕМНИИ, ПОДВЕРГНУТОМ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Si+, И МОДЕЛЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Е. И. Шек
"... Using step−by−step removal of silicon layers, in which dislocation−related photoluminescence ..."
 
№ 1 (2014) ДАЛЬНОДЕЙСТВУЮЩИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКЕ, СОЗДАННЫЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ НЕСООТВЕТСТВИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев
"... The equation connecting the misfit parameter f, the number of misfit dislocation (MD) families ..."
 
№ 1 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛИ ДИСЛОКАЦИОННОГО ИСТОЧНИКА ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин
"... dislocation source. The model is based on numerical solution of parabolic type partial differential equations ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО СКОПЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОМ ФРАНКА—РИДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д. С. Андрианов, С. Н. Суслина
"... Dislocation pileups play an important role in the formation and propagation of strain in single ..."
 
№ 3 (2014) ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин
"... Germanium is a relevant object for research into the influence of dislocations on electronic ..."
 
Том 19, № 1 (2016) О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Р. Велиханов
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
"... defects are two types of dislocation structure: orthogonal dislocation network composed of two screw ..."
 
Том 24, № 3 (2021) Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлев
"... method. The dislocation density in crystals with a diameter of 100 mm was ≤ 100 cm-2 and corresponded ..."
 
№ 4 (2013) СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si

Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева
"... The characteristics of low−power and high−power thyristors basen of dislocation−free single ..."
 
№ 1 (2014) ФОРМИРОВАНИЕ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ПОРИСТОСТЬЮ НА ТОЛСТЫХ ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком
"... and an average mesoporous silica layer 5—60 microns thick with a pore diameter of 100—150 nm. The second type ..."
 
№ 4 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный
"... The properties of Chochralski grown [100] undoped GaSb crystals with diameters > 60 mm have been ..."
 
№ 1 (2014) О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин
"... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..."
 
Том 21, № 1 (2018) Геттеры в кремнии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Харченко
"... , it is necessary to create internal sources for generation of dislocations and formation of precipitate ..."
 
Том 27, № 1 (2024) Физические и технологические причины возникновения канальной неоднородности в монокристаллах InSb, сильнолегированных Te Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлёв, В. А. Чупраков, Р. Ю. Козлов, С. Н. Князев, А. Г. Белов
"... in crystallographic directions [100], [111] and [112]. The development of channel inhomogeneity due to low activation ..."
 
№ 4 (2012) ОСОБЕННОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. Ю. Белик
"... Проведено комплексное исследование пористых слоев, полученных химическим травлением, определена ..."
 
№ 1 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТОПОГРАФИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Л. Шульпина, В. А. Козлов
"... the dislocation nets with non-uniform distribution of dislocations both over thickness and layer square ..."
 
№ 2 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник
"... Investigation on the properties of large [100]−oriented InSb single crystals grown by Czoсhralski ..."
 
Том 27, № 4 (2024) Направленная кристаллизация твердых растворов Ge1-xSix Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Г. Косушкин, С. И. Супельняк, Е. Н. Коробейникова, В. И. Стрелов
"... of germanium – silicon, the possibilities of developing the technology of obtaining homogeneous crystals ..."
 
1 - 25 из 88 результатов 1 2 3 4 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)