Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 25, № 3 (2022) | Технология и термомеханика при выращивании трубчатых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, А. И. Простомолотов, И. В. Силаев | ||
| "... polycrystalline highly dislocation silicon pipes of large diameter by Czochralski method for epitaxial reactors ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | МЕТОД ЧОХРАЛЬСКОГО: ИСТОРИЯ И РАЗВИТИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. П. Маянов, А. А. Гасанов, А. В. Наумов | ||
| "... by the Czochralski (CZ) method. The method of growing single crystals according to Czochralski is the most widespread ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Возможность использования потока инертного газа для управления качественными характеристиками выращиваемых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. В. Критская, В. Н. Журавлёв, В. С. Бердников | ||
| "... The process of growing silicon single crystals by the Czochralski method has been improved, which ..." | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов | ||
| "... a melt by Czochralski method (Cz) are discussed, including the known data of physical modeling ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Направленная кристаллизация твердых растворов Ge1-xSix | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Г. Косушкин, С. И. Супельняк, Е. Н. Коробейникова, В. И. Стрелов | ||
| "... of germanium – silicon, the possibilities of developing the technology of obtaining homogeneous crystals ..." | ||
| № 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
| "... Проведено исследование свойств нелегированных монокристаллов антимонида галлия диаметром более 60 ..." | ||
| № 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
| "... method The properties of undoped and heavily Te doped large single crystals of InSb grown by Czochralski ..." | ||
| Том 24, № 3 (2021) | Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлев | ||
| "... of suitable photodetectors. Single crystals 100 mm in diameter were grown by the Czochralski method in a two ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДО КРЕМНИЯ МАРКИ «СОЛНЕЧНЫЙ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. И. Марончук, И. E. Марончук, Д. Д. Саникович, И. Б. Широков | ||
| "... obtained from silicon scales by the Czochralski method have been presented. Experiments ..." | ||
| Том 26, № 4 (2023) | Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, О. А. Бузанов | ||
| "... Nominally pure lanthanum-gallium tantalate La3Ga5.5Ta0.5O14 crystals doped with aluminum, silicon ..." | ||
| № 3 (2012) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТИРИСТОРОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА Si, ПРИ ДЕЙСТВИИ ГАММА–ОБЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин, В. И. Гончаров, Ю. И. Куницкий, С. П. Кобелева | ||
| "... of the reference structures obtained under similar conditions on single crystals of silicon not doped ..." | ||
| № 4 (2014) | ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева | ||
| "... in silicon. The estimation technique of carbon, boron and phosphorus impurity content in high−purity ..." | ||
| № 4 (2013) | СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Быткин, Т. В. Критская, С. П. Кобелева | ||
| "... crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗОТОПНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ИК–ПОГЛОЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ–28, 29 И 30 С ВЫСОКИМ ИЗОТОПНЫМ ОБОГАЩЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев | ||
| "... in high−purity single crystals of stable 28Si(99.99%), 29Si(99.92%) and 30Si(99,97%) silicon isotopes ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | О СОВМЕСТНОМ ДЕЙСТВИИ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ПЛАСТИЧНОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Р. Велиханов | ||
| "... In low−resistance p−type single−crystalline silicon to explored particularities of the behavior ..." | ||
| Том 23, № 3 (2020) | Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев | ||
| "... означает, что в технологиях выращивания монокристаллов GaAs произойдет смена акцентов в сторону кристаллов ..." | ||
| № 4 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРА МЕЗОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов, В. П. Бондаренко | ||
| "... . The initial substrates were single crystal silicon wafers brand IES −0,01 cut from Czochralski grown ingots ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ДИСТАНЦИОННОЕ И СОПРЯЖЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, Х. Х. Ильясов | ||
| "... of CrystmoNet code to a number of tasks related to the conjugated simulation of Czochralski silicon single ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Напряжения в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак, Д. В. Рощупкин | ||
| "... −doped silicon wafers produced by the Czochralski (Cz−Si) was studied by the method of triple−X−ray ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| статья Редакционная | ||
| № 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
| "... The formation and self−organization of porous silicon (por-Si) surface mosaic structure at long ..." | ||
| № 3 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ МЕТОДОМ СТАЦИОНАРНОГО ВНЕШНЕГО НАГРЕВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Быков, С. Г. Григорян, Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, С. В. Ксенич, И. В. Кубасов, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко | ||
| "... niobate wafer placed between two silicon wafers was heated due to the absorption of light annealing system ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСЧЕТНО−ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ НА ФОРМУ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ГЕПТАДЕКАНА И ГАЛЛИЯ В МОДЕЛИ МЕТОДА ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов, В. С. Бердников, В. А. Винокуров | ||
| № 1 (2012) | НАБЛЮДЕНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОМ ЛОКАЛЬНОМ ДАВЛЕНИИ В УСЛОВИЯХ ИНДЕНТИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Прокудин, А. С. Усеинов | ||
| "... in crystalline materials such as silicon.In the present work silicon samples with different crystallographic ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| "... A technique for crucibleless growth of single−crystal silicon and its alloys with germanium ..." | ||
| 1 - 25 из 173 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
