Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Принято в печать Электролюминесценция эрбия в пленках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напыленных на подложку кремния Аннотация  похожие документы
К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, Д. С. Абрамкин, К. А. Свит, А. М. Пугачев, В. А. Володин, Д. В. Марин, Е. В. Спесивцев, Л. Н. Сафронов, С. А. Кочубей, К. С. Ершов, А. В. Капишников, А. Н. Шмаков, А. А. Шкляев, Ю. А. Живодков
"... . The solid solution ((In1-xErx)2O3) is formed here. The 1.534 mkm erbium electroluminescence is observed ..."
 
Том 20, № 2 (2017) Квантовая лестница дырочной проводимости в кремниевых наносандвичах Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов
"... The results of studying the quantum conductance staircase of holes in one−dimensional channels ..."
 
Том 23, № 2 (2020) Влияние самоорганизации поверхностного заряда на затворно-индуцированные электронную и дырочную двумерные системы Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Ткаченко, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, О. П. Сушков
"... scattering in undoped GaAs/AlGaAs structures in which a two-dimensional gas of electrons or holes is created ..."
 
Том 26, № 3 (2023) Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, Е. В. Спесивцев, Д. В. Гуляев, А. М. Пугачев, Д. Г. Есаев
"... the valence band maximum into the In2O3 : Er band gap and provides there the conduction channel for holes ..."
 
Том 25, № 1 (2022) Электрические и гальваномагнитные свойства монокристаллов черного фосфора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Харченко, Ю. А. Федотова, В. Ю. Слабухо, А. К. Федотов, А. В. Пашкевич, И. А. Свито, М. В. Бушинский
"... . The electrical conductivity σ(Т,В) and the Hall constant Rh(Т,В) have been analyzed within one-band and two-band ..."
 
Том 20, № 1 (2017) УПРУГОНАПРЯЖЕННЫЕ СЛОИ И НАНООСТРОВКИ GESISN В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, А. А. Блошкин, В. И. Машанов, С. А. Тийс, И. Д. Лошкарев, Н. А. Байдакова
"... demonstrated and calculation of band diagram in the model solid theory approach has been carried out ..."
 
Том 20, № 3 (2017) Современное состояние и перспективы развития технологии органогалогенидных перовскитных солнечных ячеек: кристаллическая структура и формирование тонких пленок, морфология, обработка, деградация и повышение стабильности с использованием углеродных нанотрубок Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Р. Ашуров, Б. Л. Оксенгендлер, С. Е. Максимов, С. Ш. Рашидова, А. Р. Иштеев, Д. С. Саранин, И. Н. Бурмистров, Д. В. Кузнецов, А. А. Захидов
"... structure of lattice, impurity and defect states in pure and mixed perovskites, suppressed electron-hole ..."
 
Том 25, № 2 (2022) Определение отклонения от стехиометрии в широкозонных полупроводниковых соединений АIIВVI по составу равновесной паровой фазы Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева
 
Том 26, № 3 (2023) Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова
"... has been obtained which gave the possibility to determine heavy hole concentration value at T = 295K ..."
 
№ 3 (2013) ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков
"... conductivity was determined not by ionic conductance but by the density of electrons and holes supplied ..."
 
№ 3 (2012) ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев
 
№ 4 (2013) ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ф. И. Маняхин
"... A new method of measuring the parameters of shallow and medium−depth levels in semiconductor band ..."
 
Том 25, № 3 (2022) Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова
"... on the consideration of the energy band diagrams of the system, possible explanations for the charge redistribution ..."
 
Том 26, № 3 (2023) Квантово-механическое моделирование переключения поляризации в кристаллах HfO2 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Журавлев, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников
"... was carried out using the elastic band method. The values of the polarization change and the energy barrier ..."
 
Том 27, № 4 (2024) Квантово-химическое моделирование поверхностного модифицирования углеродной нанотрубки типа «кресло» оксидом кобальта Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Р. Эль Занин, С. В. Борознин
"... of the density functional theory on the B3LYP/3-21G level. The values of the band gap of the pure CNT(6 ..."
 
Том 27, № 4 (2024) Модифицированная цепочка масса-в-массе Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. О. Турин, И. В. Назрицкий, Д. Д. Киреев, П. А. Андреев, Ю. В. Илюшина
"... , for the band gap width, and for the effective mass. Using the derived equations, the classical and modified ..."
 
Том 18, № 3 (2015) ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Л. А. Сейдман
"... of silicon oxides. The most  important technological trend of this process is making through holes ..."
 
Том 18, № 1 (2015) МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si0,97Ge0,03 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. Т. Павловская, П. Г. Литовченко, Ю. О. Угрин, Ю. В. Павловский, И. П. Островский, К. Рогацкий
"... field but slightly which in turn indicates a independence of the concentration of holes on the magnetic ..."
 
Том 18, № 2 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин
"... . Possible explanation of the peak formation and band diagram modifications in these structures under ..."
 
Том 22, № 3 (2019) Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин
 
Том 21, № 1 (2018) Оптические характеристики монокристаллического материала Gd3Al2Ga3O12 : Ce Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. С. Козлова, О. А. Бузанов, В. М. Касимова, А. П. Козлова, Е. В. Забелина
"... and extinction coefficients, refractive indices and the optical band gap of the Gd3Al2Ga3O12 : Ce. We used two ..."
 
№ 3 (2013) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин
"... investigated. Hole concentration increased and mobility decreased with an increase in thermal annealing ..."
 
Том 26, № 4 (2023) Влияние легирования на оптические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, О. А. Бузанов
"... of the undoped crystals grown in an oxygen-free atmosphere have one weak absorption band at λ ~ 290 nm ..."
 
Том 18, № 1 (2015) О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. П. Кобелева
"... проведена оценка концентрации глубоких акцепторных центров, необходимых для получения дырочного типа ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be Аннотация  похожие документы
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини
"... создания активных слоев в гетероструктурах на основе двумерного дырочного газа с высокой подвижностью и ..."
 
1 - 25 из 52 результатов 1 2 3 > >> 

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)