Выпуск | Название | |
№ 4 (2012) | НАНОРАЗМЕРНЫЙ КРЕМНИЙ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОЛИТА HCl : HF : C2H5OH | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов | ||
"... Results of experimental work with nanosized silicon (NcSi) samples which are not degraded under ..." | ||
Том 24, № 4 (2021) | Температурные исследования полевых датчиков Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. К. Абгарян, А. В. Леонов, Д. Л. Ревизников | ||
"... Холла (ПДХ) на основе гетероструктуры «кремний на изоляторе» (КНИ). Представлены результаты расчетных и ..." | ||
№ 1 (2012) | МОНТЕ—КАРЛО–МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Карпов, Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц | ||
"... The process of silicon nanocluster formation during annealing of single SiO layers and multilayer ..." | ||
№ 4 (2013) | СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Данько, С. А. Злобин, И. З. Индутный, И. П. Лисовский, В. Г. Литовченко, Е. В. Михайловская, П. Е. Шепелявый, Е. Бегун | ||
"... properties of the film porous systems with nanosized silicon has been suggested. We show that the passivation ..." | ||
№ 1 (2013) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА IN SITU РЕНТГЕНОВСКОЙ РЕФЛЕКТОМЕТРИИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров, И. С. Монахов | ||
"... магнетронному напылению наноразмерных пленок кремния и других материалов на кремниевые подложки. ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Математическое моделирование самообучающейся нейроморфной сети, основанной на наноразмерных мемристивных элементах с 1T1R-кроссбар-архитектурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Ю. Морозов, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников | ||
Том 22, № 2 (2019) | Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов | ||
"... The effect of electron irradiation with energy of 2.5 keV on the MOS structure Al/SiO2/Si ..." | ||
Том 28, № 1 (2025) | Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов | ||
"... Cr, и кремния, что определяет применимость БТО для получения омических контактов на их основе. На ..." | ||
№ 2 (2012) | МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРЕМНИЙ–УГЛЕРОДНЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ВОЛЬФРАМА В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20—200 °С | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович, И. В. Щемеров, О. В. Торопова, Ю. Н. Пархоменко | ||
"... Изучены температурные зависимости удельной электропроводности (УЭС) кремний−углеродных пленок с ..." | ||
Том 23, № 2 (2020) | Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов | ||
"... структуры «кремний на изоляторе» с двумя управляющими затворами. Для решения задачи применяется ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
"... target in argon atmosphere on charging properties of the SiO2/p-Si interface was investigated. High ..." | ||
№ 1 (2013) | МЕЛКОДИСПЕРСНЫЕ ЧАСТИЦЫ МЕТИЛСИЛСЕСКВИОКСАНОВ С ФРАГМЕНТАМИ SiO4/2 В СТРУКТУРЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. А. Аверичкин, Ю. Б. Андрусов, И. А. Денисов, Т. Б. Клычбаев, Ю. Н. Пархоменко, Н. А. Смирнова | ||
"... SiO4/2 fragments in material structure leads to formation of 2—3 micrometer-size spherical particles ..." | ||
№ 2 (2013) | О ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. А. Бурдов, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, Д. И. Тетельбаум | ||
"... in SiO2. The four−level scheme of transitions is considered taking into account thermally activated ..." | ||
№ 4 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. Г. Гуськова, М. В. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова | ||
"... Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge ..." | ||
Том 19, № 4 (2016) | XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ–2016» (12—15 сентября 2016 г., Новосибирск) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
статья Редакционная | ||
№ 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
"... We show that the magnetoresistive properties of n−Si/SiO2/Ni nanostructures containing ..." | ||
№ 4 (2014) | РЕШЕНИЕ X КОНФЕРЕНЦИИ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ФИЗИКИ, МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, ТЕХНОЛОГИИ И ДИАГНОСТИКИ КРЕМНИЯ, НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ («КРЕМНИЙ−2014») | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. И. Непомнящих, А. И. Елисеев | ||
№ 2 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА СКОРОСТЬ РОСТА КИСЛОРОДНЫХ ПРЕЦИПИТАТОВ В КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев | ||
"... matrix by an oxygen precipitate (SiO2) on the rates of the main processes determining the precipitation ..." | ||
№ 4 (2012) | ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов | ||
"... by thermal evaporation of SiO powder and carbon implanted with doses of 6 · 1016 to 1,2 · 1017 cm−2 followed ..." | ||
Том 22, № 3 (2019) | Возможность использования потока инертного газа для управления качественными характеристиками выращиваемых монокристаллов кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. В. Критская, В. Н. Журавлёв, В. С. Бердников | ||
"... (mainly SiO), removes them from the chamber through a nozzle in the lower part of the chamber and provide ..." | ||
Том 19, № 1 (2016) | МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ И РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МАССИВОВ СТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ В МАТРИЦЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ю. Турищев, Е. В. Паринова, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Д. Н. Нестеров, Р. В. Романцов, Ю. А. Федотова, Е. А. Стрельцов, Н. В. Малащенок, А. К. Федотов | ||
"... formed with the tracking technique. Latent tracks have been obtained by SiO2 film irradiation with heavy ..." | ||
Том 24, № 4 (2021) | Расчет сопротивления Капицы на интерфейсе кремний - альфа-кварц для различных температур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
"... resistance is used in the simulation. In this study, we calculate the thermal resistance at the Si/SiO2 ..." | ||
Том 22, № 2 (2019) | О перспективе создания элементов памяти на основе наночастиц кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Талызин, В. М. Самсонов | ||
"... зрения перспектив их применения в качестве наноразмерных элементов памяти. В частности, возможность ..." | ||
Том 19, № 1 (2016) | ЭФФЕКТЫ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ В ПРИБОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА БАЗЕ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. И. Таперо | ||
"... /dielectric interface; in addition, the paper reports an analysis of the nature of defects in Si/ SiO2 ..." | ||
№ 4 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман | ||
"... Методом термического испарения в вакууме на пластины кремния КЭФ−20 с ориентацией (100), диаметром ..." | ||
1 - 25 из 145 результатов | 1 2 3 4 5 6 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)