Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 27, № 3 (2024) | Высокочастотные вольт-фарадные характеристики мембранных структур на основе Ba1-xSrxTiO3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, М. С. Афанасьев, Г. В. Чучева | ||
| "... . Then, a 300 nm Ba0.8Sr0.2TiO3 layer and contact electrodes were deposited on the flat surface of the membrane ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов | ||
| "... Проведено исследование влияния облучения электронами с энергией 2.5 кэВ на вольт-фарадные (C-V ..." | ||
| № 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
| "... films on the GaAs (x = 0–0.04) and Si (x = 0.75) substrates have been studied. We used ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОЧАСТИЦЫ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫЕ НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Е. Кононова, А. С. Леньшин, М. Г. Аньчков, В. А. Мошников | ||
| "... characteristics of metal oxide films grown on single−crystal substrates, porous silicon and glass substrates were ..." | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Тонкие пленки Y3Fe5O12/Ba0,8Sr0,2TiO3: синтез и перспективы интеграции | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Афанасьев, Е. И. Гольдман, А. И. Стогний, Г. В. Чучева | ||
| "... films Y3Fe5O12 and ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 on silicon substrates. Films were obtained by ion-beam ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... substrates. The basic problems of nitride compounds on silicon substrate and the ways of their solution have ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Влияние травления теллурида кадмия на качество поверхности эпитаксиальных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Парамонов, О. В. Новикова, В. Г. Косушкин | ||
| "... was varied from 0.2 to 9 µm/min. Polishing Set nature of the etching substrate of cadmium telluride in 5 ..." | ||
| № 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
| "... an additional (transverse) electric field to the nanostructure between the silicon substrate (functioning ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Сейдман | ||
| "... in silicon carbide substrates. The technological solution of these problems ion−stimulation plasmochemistry ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Влияние сульфидной пассивации подложки на фотолюминесцентные свойства автоэпитаксиальных слоев InAs | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, А. В. Соломонов | ||
| "... on heavily doped n+-InAs substrates. Sulfide passivation of the substrates was carried out in a unimolar ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Получение, кристаллическая структура и сегнетоэлектрические свойства наноразмерных пленок Ba2NdFeNb4O15/Si(001) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, С. С. Старухина, Т. С. Ильина, Д. А. Киселев | ||
| "... orientation of the axes [001] in the direction normal to the substrate surface, in which a significant ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... Проведен комплекс исследований частотных зависимостей вольт- фарадных характеристик гетероструктур ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... that the abovementioned characteristics depend on the quality of the initial substrate surface. They are also dependent ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский | ||
| "... parameters of machining and is to identify the dependencies of the surface quality of the substrates after ..." | ||
| № 2 (2012) | ИНИЦИИРОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ИЗОЛИРОВАННЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская | ||
| "... . A RF magnetron sputter system was used to deposit LiNbO3 thin films on (100)−oriented Si substrates ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ НАНОПЛЕНКИ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ: РОСТ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. И. Плюснин | ||
| "... concentration of defects in the film, especially at its substrate interface. The material also contains stress ..." | ||
| № 4 (2012) | НАПРЯЖЕНИЕ И АДГЕЗИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 3C–SiC, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов | ||
| "... Polycrystalline 3C−SiC films have been grown on silicon substrates by CVD method using ..." | ||
| № 4 (2013) | ЗАВИСИМОСТЬ ДЕФОРМАЦИОННОГО СОСТОЯНИЯ ПЛЕНОК GaAs НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001) ОТ СПОСОБА ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВЫХ МОНОСЛОЕВ ПРОСЛОЙКИ GaP | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский | ||
| "... (MBE) on the nucleation method of early GaP buffer layers (50 nm) on the vicinal substrate Si(001) 4 ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, Е. В. Спесивцев, Д. В. Гуляев, А. М. Пугачев, Д. Г. Есаев | ||
| "... The In2O3 : Er films were deposited on Si substrates by the RF magnetron sputtering technique ..." | ||
| № 4 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман | ||
| "... Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка | ||
| "... /TiO2/Si. Assessment of the effect of induced surface potential in the dielectric film on the integral ..." | ||
| № 2 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ЖИДКОФАЗНОГО НАНЕСЕНИЯ ПОЛИМЕРНЫХ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ НАНОКОМПОЗИТНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПОДСТИЛАЮЩИЕ ПОВЕРХНОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Я. Подвигалкин, П. А. Музалев, Н. М. Ушаков, И. Д. Кособудский | ||
| "... substrates has been discussed. Host interaction mechanisms of polymeric nanocomposite solutions on substrate ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... substrates by the method of electrolytic etching in fluoride containing solutions. Plates with different ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... We have analyzed the effect of volume and surface defects SiC substrates on structure and some ..." | ||
| 1 - 25 из 83 результатов | 1 2 3 4 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
