Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 23, № 3 (2020) Вопросы выбора показателей эффективности функционирования высокопроизводительного вычислительного комплекса на примере ЦКП «Информатика» ФИЦ ИУ РАН Аннотация  похожие документы
А. А. Зацаринный, К. И. Волович, С. А. Денисов, Ю. С. Ионенков, В. А. Кондрашев
"... том числе в интересах сторонних организаций и научных коллективов. Представлена общая характеристика ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Модификация поверхности германия при воздействии излучения наносекундного ультрафиолетового лазера Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, С. И. Миколуцкий, В. Е. Рогалин, С. А. Филин, Ю. В. Хомич, В. А. Ямщиков, И. А. Каплунов, А. И. Иванова
"... Методами оптической профилометрии, сканирующей электронной и зондовой микроскопии исследована ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Теоретические исследования металлокомпозита на основе монослоя пиролизованного полиакрилонитрила, содержащего парные атомы металлов Fe—Co, Ni—Co, Fe—Ni и аморфизирующую присадку кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. В. Запороцкова, Д. П. Радченко, Л. В. Кожитов, П. А. Запороцков, А. В. Попкова
"... Актуальной проблемой современной радиотехники и радиоэлектроники является создание композитных ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом Аннотация  похожие документы
Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев
"... В работе исследовано влияние процесса легирования железом и углеродом эпитаксиального слоя GaN на ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Численное моделирование теплопереноса в полупроводниковых гетероструктурах Аннотация  похожие документы
К. К. Абгарян, И. С. Колбин
"... , а также с нормализацией аппроксимирующей модели и без. Исследована возможность увеличения скорости ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN Аннотация  похожие документы
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова
"... численным методом с применением программы MathCad. Электрическое поле на границе легированного слоя и ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be Аннотация  похожие документы
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини
"... активных слоев в гетероструктурах на основе двумерного дырочного газа с высокой подвижностью и окон в p—i—n ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Математическое моделирование самообучающейся нейроморфной сети, основанной на наноразмерных мемристивных элементах с 1T1R-кроссбар-архитектурой Аннотация  похожие документы
А. Ю. Морозов, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников
"... это задачи распознавания и обработки изображений, речи, а также робототехника и беспилотные системы ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Фотонные и терагерцовые применения как следующий драйвер рынка арсенида галлия Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов, В. В. Старцев
"... Продолжен предпринятый ранее в ряде работ анализ современного состояния рынка GaAs и приборов на ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Исследования структуры, морфологии и диэлектрических свойств наночастиц Co1-xZrxFe2O4 Аннотация  похожие документы
С. Ананд, А. П. Амалия, М. Асиси, Дж. С. Полин
"... насыщения, высокая коэрцитивная сила и высокий магнитострикцонный коэффициент при комнатной температуре. Эти ..."
 
1 - 10 из 10 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)