Выпуск | Название | |
Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
"... —400 К. Для трех приборов с разными уровнями легирования оценены высота барьера ΦB, коэффициент ..." | ||
№ 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Г. Пашаев | ||
"... имеют аморфную структуру, а остальные пленки — поликристаллическую. Определена высота барьера диодов ..." | ||
№ 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
"... ионизации примесей, приводящие к лавинному пробою барьера Шотки Ni/Si. Доказана возможность управления ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров | ||
"... . Показано, что высота потенциального барьера немонотонно зависит от концентрации доноров в кристаллите. При ..." | ||
Том 26, № 3 (2023) | Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, Е. В. Спесивцев, Д. В. Гуляев, А. М. Пугачев, Д. Г. Есаев | ||
"... 2O3 : Er/In-контакт) были описаны в рамках модели термоэмиссии основных носителей через барьер с ..." | ||
Том 26, № 3 (2023) | Квантово-механическое моделирование переключения поляризации в кристаллах HfO2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Журавлев, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников | ||
"... изменения поляризации и энергетический барьер соответствующего перехода. Проведено исследование устойчивости ..." | ||
Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
"... AlGaN/GaN, а также барьеров Шотки областей затвор—исток и затвор—сток кристаллов AlGaN/GaN/ SiC НЕМТ ..." | ||
1 - 7 из 7 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)