Выпуск | Название | |
№ 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Г. Пашаев | ||
"... (where x = 52; 70; 87) Schottky diodes and the electrical properties of AuxTi100−x—nSi (where x = 10; 36 ..." | ||
№ 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
"... with a decrease in the longitudinal current (along the pillars). At 100 nA current, the relative magnetoresistance ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
"... on Be-doped Al0.29Ga0.71As Schottky contact have been investigated in the temperature range of 100—400 K ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. П. Кобелева, А. А. Васильев, В. Д. Кирилов, А. И. Кочкова, В. В. Копьев, Ю. О. Куланчиков | ||
"... are measured in the HVPE-grown α-Ga2O3-based Schottky diode. Upon UV-illumination the photocurrent rise ..." | ||
Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
"... Schottky barriers has been carried out by the C-V method and the SIMS method in order to determine ..." | ||
№ 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
"... Исследованы p+—n-диоды. Диоды изготовлены на пластинах однородно легированного фосфором ..." | ||
Том 18, № 4 (2015) | 100 ЛЕТ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ НИКОЛАЯ СТЕПАНОВИЧА ЛИДОРЕНКО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
статья редакционная | ||
Том 28, № 1 (2025) | Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов | ||
"... примере ограничительного диода p+-n подтверждена применимость процесса импульсной термообработки в ..." | ||
Том 24, № 3 (2021) | Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлев | ||
"... conditions and obtained indium antimonide single crystals 100 mm in diameter in the crystallographic ..." | ||
№ 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
"... The properties of Chochralski grown [100] undoped GaSb crystals with diameters > 60 mm have been ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | К 100−летию СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ ВСЕВОЛОДА ВАЛЕРЬЕВИЧА КРАПУХИНА (1915—2009 гг.) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Статья Редакционная | ||
№ 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..." | ||
№ 2 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, Г. П. Колчина, М. В. Меженный, В. Я. Резник | ||
"... Investigation on the properties of large [100]−oriented InSb single crystals grown by Czoсhralski ..." | ||
№ 1 (2014) | РЕШЕНИЕ МЕЖДУНАРОДНОГО СИМПОЗИУМА «ФИЗИКА КРИСТАЛЛОВ 2013», ПОСВЯЩЕННОГО 100-ЛЕТИЮ СО ДНЯ РОЖДЕНИЯ ПРОФЕССОРА М. П. ШАСКОЛЬСКОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
статья Редакционная | ||
Том 24, № 3 (2021) | Влияние условий синтеза и состава на структурно-фазовые состояния и электрические свойства наногранулированных пленок (FeCoZr)x(ЦТС)100-x (30 ≤ x ≤ 85 % (ат.)) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. А. Федотова | ||
"... . The relationship of the phase composition and electrical characteristics of granular films (FeCoZr)x(PZT)100-x (30 ..." | ||
№ 1 (2014) | О ГРАНИЧНЫХ ПРОЦЕССАХ В МЕЖФАЗНОЙ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОЛИТ—КРЕМНИЙ ПРИ САМООРГАНИЗАЦИИ МОЗАИЧНОЙ СТРУКТУРЫ 3D–ОСТРОВКОВ НАНОКРИСТАЛЛИТОВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ АНОДНОМ ТРАВЛЕНИИ p–Si (100) В ЭЛЕКТРОЛИТЕ С ВНУТРЕННИМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан, Х. А. Абдуллин | ||
"... anodic etching of p-type conductivity Si (100) (p-Si) in electrolytes with an internal power source has ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN | Аннотация похожие документы |
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова | ||
"... подвижного заряда в компенсированном слое p—i—n-перехода диода на основе GaN. Решение уравнения выполнено ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
"... элементной базы СВЧ−техники и силовой электроники, а также светоизлучающих диодов. Отмечено, что важнейшим ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин | ||
"... возбуждении полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 960 нм. На спектрах люминесценции зафиксированы ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
"... диодом с длиной волны 940 нм зарегистрирована ИК-люминесценция в областях 980-1100 нм и 1450-1670 нм ..." | ||
Том 19, № 3 (2016) | Анизотропия механических свойств и механизмы упрочнения в кристаллах твердых растворов ZrO2—Y2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Борик, В. Р. Боричевский, В. Т. Бублик, Т. В. Волкова, А. В. Кулебякин, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, П. А. Рябочкина, С. В. Серяков, Н. Ю. Табачкова | ||
"... fracture toughness has been observed in the crystal specimen cut laterally to the <100> orientation. We ..." | ||
№ 4 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОРОДНОСТИ ПОВЕРХНОСТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Ti, Al, Ni, Cr и Au НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман | ||
"... Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates ..." | ||
№ 3 (2014) | ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ СaМoО4 С НИЗКИМ ОСТАТОЧНЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ | Аннотация похожие документы |
Н. С. Козлова, О. А. Бузанов, М. Б. Быкова, Е. В. Забелина, В. Н. Корноухов, А. П. Козлова, А. Г. Черных | ||
"... Calcium molybdate enriched with the isotope 100Мо (40Ca100MoO4) is a promising material for use ..." | ||
№ 4 (2012) | ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов | ||
"... The films have been deposited on the silicon subtracts with the (111) and (100) orientations ..." | ||
№ 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
"... silicon crystals with a resistivity of 100 Ohm · cm. The measurements were conducted using high−definition ..." | ||
1 - 25 из 55 результатов | 1 2 3 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)