Выпуск | Название | |
№ 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
"... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..." | ||
№ 3 (2014) | ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин | ||
"... recombination (by the DLTS and photoluminescence (PL) methods, respectively) of charge carriers in deep levels ..." | ||
№ 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
"... electron microscopy, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence. The main revealed ..." | ||
№ 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Г. Пашаев | ||
"... PbxSb100−x—nSi (где х = 52, 70, 87) диодов Шотки. Установлено, что пленки сплавов Au36Ti64 и Pb52Sb48 ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. П. Кобелева, А. А. Васильев, В. Д. Кирилов, А. И. Кочкова, В. В. Копьев, Ю. О. Куланчиков | ||
"... диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной ..." | ||
Том 28, № 1 (2025) | Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов | ||
"... примере ограничительного диода p+-n подтверждена применимость процесса импульсной термообработки в ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
"... идеальности n и последовательное сопротивление RS каждого диода с использованием модели термоионной эмиссии и ..." | ||
№ 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN | Аннотация похожие документы |
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова | ||
"... подвижного заряда в компенсированном слое p—i—n-перехода диода на основе GaN. Решение уравнения выполнено ..." | ||
№ 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
"... электрофизических свойств изученные наноструктуры аналогичны системе двух диодов Шотки Si/Ni, включенных навстречу ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
"... элементной базы СВЧ−техники и силовой электроники, а также светоизлучающих диодов. Отмечено, что важнейшим ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин | ||
"... возбуждении полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 960 нм. На спектрах люминесценции зафиксированы ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
"... диодом с длиной волны 940 нм зарегистрирована ИК-люминесценция в областях 980-1100 нм и 1450-1670 нм ..." | ||
1 - 13 из 13 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)