Preview

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
№ 1 (2014) СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas
"... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..."
 
№ 3 (2014) ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МНОГОЗАРЯДНЫХ ПРИМЕСЕЙ С ДИСЛОКАЦИЯМИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. А. Шевченко, А. Н. Терещенко, А. А. Мазилкин
"... recombination (by the DLTS and photoluminescence (PL) methods, respectively) of charge carriers in deep levels ..."
 
№ 2 (2014) СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук
"... electron microscopy, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence. The main revealed ..."
 
№ 4 (2012) ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. Г. Пашаев
"... PbxSb100−x—nSi (где х = 52, 70, 87) диодов Шотки. Установлено, что пленки сплавов Au36Ti64 и Pb52Sb48 ..."
 
Том 26, № 2 (2023) Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. П. Кобелева, А. А. Васильев, В. Д. Кирилов, А. И. Кочкова, В. В. Копьев, Ю. О. Куланчиков
"... диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной ..."
 
Том 28, № 1 (2025) Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов
"... примере ограничительного диода p+-n подтверждена применимость процесса импульсной термообработки в ..."
 
Том 21, № 4 (2018) Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be Аннотация  похожие документы
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини
"... идеальности n и последовательное сопротивление RS каждого диода с использованием модели термоионной эмиссии и ..."
 
№ 3 (2012) МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. И. Рабинович, В. П. Сушков
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..."
 
Том 20, № 4 (2017) Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN Аннотация  похожие документы
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова
"... подвижного заряда в компенсированном слое p—i—n-перехода диода на основе GaN. Решение уравнения выполнено ..."
 
№ 4 (2013) УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель
"...  электрофизических свойств изученные наноструктуры аналогичны системе двух диодов Шотки Si/Ni, включенных навстречу ..."
 
Том 18, № 1 (2015) ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков
"... элементной базы СВЧ−техники и силовой электроники, а также светоизлучающих диодов. Отмечено, что важнейшим ..."
 
Том 20, № 1 (2017) СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин
"... возбуждении полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 960 нм. На спектрах люминесценции зафиксированы ..."
 
Том 23, № 3 (2020) Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев
"... диодом с длиной волны 940 нм зарегистрирована ИК-люминесценция в областях 980-1100 нм и 1450-1670 нм ..."
 
1 - 13 из 13 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)