Выпуск | Название | |
№ 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
"... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..." | ||
№ 3 (2013) | НОВЫЕ ГИБРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДНЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. И. Аветисов, О. Б. Петрова, А. А. Аккузина, А. В. Хомяков, Р. Р. Сайфутяров, А. Г. Чередниченко, Т. Б. Сагалова, Н. А. Макаров, И. Х. Аветисов | ||
Том 22, № 3 (2019) | Детектор на «теплой жидкости» для измерения дозных профилей от ионизирующих излучений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Сиксин | ||
"... . Также КИДП может применяться для измерения выходов вторичных «мгновенных» нейтронов и гамма-квантов ..." | ||
№ 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Г. Пашаев | ||
"... PbxSb100−x—nSi (где х = 52, 70, 87) диодов Шотки. Установлено, что пленки сплавов Au36Ti64 и Pb52Sb48 ..." | ||
№ 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
"... Исследованы p+—n-диоды. Диоды изготовлены на пластинах однородно легированного фосфором ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. П. Кобелева, А. А. Васильев, В. Д. Кирилов, А. И. Кочкова, В. В. Копьев, Ю. О. Куланчиков | ||
"... диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной ..." | ||
Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
"... элементной базы СВЧ−техники и силовой электроники, а также светоизлучающих диодов. Отмечено, что важнейшим ..." | ||
Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
"... идеальности n и последовательное сопротивление RS каждого диода с использованием модели термоионной эмиссии и ..." | ||
№ 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ф. И. Маняхин | ||
"... results of research AlGaN/ InGaN/GaN of the structures are resulted. ..." | ||
№ 3 (2013) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман | ||
"... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..." | ||
Том 20, № 2 (2017) | Численное моделирование и выбор светодиодов для фитосветильников | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. И. Супельняк, В. Г. Косушкин | ||
"... . This article presents a prototype of a solid−state lamp based on InGaN LEDs with radiation peaks of 440, 460 ..." | ||
Том 22, № 2 (2019) | Пилотная установка по очистке «теплой жидкости» тетраметилсилана и проведения «неускорительных экспериментов» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Сиксин | ||
№ 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
"... - хроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину ..." | ||
Том 20, № 4 (2017) | Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN | Аннотация похожие документы |
Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова | ||
"... подвижного заряда в компенсированном слое p—i—n-перехода диода на основе GaN. Решение уравнения выполнено ..." | ||
№ 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
"... электрофизических свойств изученные наноструктуры аналогичны системе двух диодов Шотки Si/Ni, включенных навстречу ..." | ||
Том 20, № 1 (2017) | СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин | ||
"... возбуждении полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 960 нм. На спектрах люминесценции зафиксированы ..." | ||
Том 23, № 3 (2020) | Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
"... диодом с длиной волны 940 нм зарегистрирована ИК-люминесценция в областях 980-1100 нм и 1450-1670 нм ..." | ||
Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
"... слитков МКК в промышленном масштабе с использованием примесей бора и галлия оптимизированы выход годного ..." | ||
№ 1 (2013) | МЕЛКОДИСПЕРСНЫЕ ЧАСТИЦЫ МЕТИЛСИЛСЕСКВИОКСАНОВ С ФРАГМЕНТАМИ SiO4/2 В СТРУКТУРЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. А. Аверичкин, Ю. Б. Андрусов, И. А. Денисов, Т. Б. Клычбаев, Ю. Н. Пархоменко, Н. А. Смирнова | ||
"... метилтрихлорсилана с четырех-хлористым кремнием. По разработанной методике были получены с выходом 98,7—99,4 % (масс ..." | ||
№ 3 (2014) | СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. Н. Ермакова, С. В. Сысоев, Л. Д. Никулина, И. П. Цырендоржиева, В. И. Рахлин, М. Л. Косинова, Ф. А. Кузнецов | ||
"... целевой продукт с высоким выходом. Индивидуальность соединения подтверждена элементным анализом на C, H ..." | ||
Том 25, № 2 (2022) | Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Абрютин, Е. В. Давыдова, М. А. Егоров, И. И. Марончук, Д. Д. Саникович | ||
"... Cd, Zn и Te чистотой более 99,9999 % (мас.) по 30 основным остаточным примесям со сквозным выходом ..." | ||
№ 4 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО В КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОМ НАПРАВЛЕНИИ [100] | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный | ||
"... температуре, близкой к температуре кристаллизации, на стадии выхода кристалла на диаметр в течение 1 ч и ..." | ||
Том 24, № 3 (2021) | Выращивание монокристаллов антимонида индия диаметром 100 мм модифицированным методом Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлев | ||
"... 150 мм и загрузку 4,5—5 кг. Решение поставленной задачи позволило существенным образов увеличить выход ..." | ||
Том 25, № 3 (2022) | Глубокая очистка теллура: усовершенствование оборудования и технологии с применением моделирования технологического процесса | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Абрютин, И. И. Марончук, Н. А. Потолоков, Д. Д. Саникович, Н. И. Черкашина | ||
"... марки Т-у до чистоты 99,99992 мас. % по 30 основным примесям с выходом готового продукта не менее 60%. ..." | ||
Том 26, № 2 (2023) | Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев, А. Н. Колкий, С. Ю. Юрчук | ||
"... сопротивление изоляции Rиз, что ведет к повышению процента выхода годных фотодиодов. ..." | ||
1 - 25 из 28 результатов | 1 2 > >> |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)