Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 3 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Рабинович, В. П. Сушков | ||
| "... Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении ..." | ||
| Том 28, № 1 (2025) | Быстрый термический отжиг в технологиях изготовления диодных и фотодиодных структур на основе кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ким, Н. А. Переведенцева, С. Ю. Юрчук, Ф. Д. Коржов | ||
| "... примере ограничительного диода p+-n подтверждена применимость процесса импульсной термообработки в ..." | ||
| № 3 (2013) | НОВЫЕ ГИБРИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДНЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Р. И. Аветисов, О. Б. Петрова, А. А. Аккузина, А. В. Хомяков, Р. Р. Сайфутяров, А. Г. Чередниченко, Т. Б. Сагалова, Н. А. Макаров, И. Х. Аветисов | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Детектор на «теплой жидкости» для измерения дозных профилей от ионизирующих излучений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Сиксин | ||
| "... . Также КИДП может применяться для измерения выходов вторичных «мгновенных» нейтронов и гамма-квантов ..." | ||
| № 4 (2012) | ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ДИОДОВ ШОТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ СЛОЯМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Г. Пашаев | ||
| "... PbxSb100−x—nSi (где х = 52, 70, 87) диодов Шотки. Установлено, что пленки сплавов Au36Ti64 и Pb52Sb48 ..." | ||
| № 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
| "... Исследованы p+—n-диоды. Диоды изготовлены на пластинах однородно легированного фосфором ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе a-Ga2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев, В. И. Николаев, С. П. Кобелева, А. А. Васильев, В. Д. Кирилов, А. И. Кочкова, В. В. Копьев, Ю. О. Куланчиков | ||
| "... диодах Шотки на основе α-Ga2O3, выращенных методом HVPE на сапфире, при засветке светодиодами с длиной ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... элементной базы СВЧ−техники и силовой электроники, а также светоизлучающих диодов. Отмечено, что важнейшим ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Влияние легирования на рабочие характеристики диодов Шотки на основе Al0,29Ga0,71As p-типа проводимости, легированного Be | Аннотация похожие документы |
| Н. А. Аль-Ахмади, Ф. А. Эбрахим, Х. А. Аль-Джавхари, Р. Х. Мари, М. Хенини | ||
| "... идеальности n и последовательное сопротивление RS каждого диода с использованием модели термоионной эмиссии и ..." | ||
| № 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. И. Маняхин | ||
| "... results of research AlGaN/ InGaN/GaN of the structures are resulted. ..." | ||
| № 3 (2013) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ В СИСТЕМЕ СО СПЕКТРАЛЬНЫМ РАСЩЕПЛЕНИЕМСОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ю. Курин, В. Д. Доронин, А. А. Антипов, Б. П. Папченко, Х. И. Хелава, М. И. Воронова, А. С. Усиков, Ю. Н. Макаров, К. Б. Эйдельман | ||
| "... on InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs single−junction heterostructures and monocrystalline silicon c−Si. Special ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Численное моделирование и выбор светодиодов для фитосветильников | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Супельняк, В. Г. Косушкин | ||
| "... . This article presents a prototype of a solid−state lamp based on InGaN LEDs with radiation peaks of 440, 460 ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Пилотная установка по очистке «теплой жидкости» тетраметилсилана и проведения «неускорительных экспериментов» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Сиксин | ||
| № 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
| "... - хроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Моделирование характеристик гамма-детекторов на основе кремниевых p-i-n-структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Леготин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, М. П. Коновалов, К. И. Таперо, А. В. Сиделев, Е. П. Сиделева, Н. С. Хрущев | ||
| "... конструкции и улучшения эффективности сбора рентгеновских квантов рассмотрены зависимости спектральных ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Моделирование энергетической структуры p—i—n-перехода на основе GaN | Аннотация похожие документы |
| Ф. И. Маняхин, Л. О. Мокрецова | ||
| "... подвижного заряда в компенсированном слое p—i—n-перехода диода на основе GaN. Решение уравнения выполнено ..." | ||
| № 4 (2013) | УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. А. Федотова, Д. К. Иванов, Ю. А. Иванова, А. Саад, А. В. Мазаник, И. А. Свито, Е. А. Стрельцов, А. К. Федотов, С. И. Тютюнников, П. Ю. Апель | ||
| "... электрофизических свойств изученные наноструктуры аналогичны системе двух диодов Шотки Si/Ni, включенных навстречу ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | СИНТЕЗ СИСТЕМЫ CASNO3 : YB3+,ER3+,НО3+ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЕЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ПРИ ИК−ВОЗБУЖДЕНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| У. А. Марьина, В. А. Воробьев, А. П. Марьин | ||
| "... возбуждении полупроводниковым лазерным диодом с длиной волны 960 нм. На спектрах люминесценции зафиксированы ..." | ||
| Том 23, № 3 (2020) | Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
| "... диодом с длиной волны 940 нм зарегистрирована ИК-люминесценция в областях 980-1100 нм и 1450-1670 нм ..." | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Физические и технологические причины возникновения канальной неоднородности в монокристаллах InSb, сильнолегированных Te | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Ю. Комаровский, Ю. Н. Пархоменко, Е. В. Молодцова, Е. О. Журавлёв, В. А. Чупраков, Р. Ю. Козлов, С. Н. Князев, А. Г. Белов | ||
| "... является разработка режима выращивания монокристаллов, позволяющего обеспечить ранний выход канальной ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
| "... слитков МКК в промышленном масштабе с использованием примесей бора и галлия оптимизированы выход годного ..." | ||
| № 1 (2013) | МЕЛКОДИСПЕРСНЫЕ ЧАСТИЦЫ МЕТИЛСИЛСЕСКВИОКСАНОВ С ФРАГМЕНТАМИ SiO4/2 В СТРУКТУРЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Аверичкин, Ю. Б. Андрусов, И. А. Денисов, Т. Б. Клычбаев, Ю. Н. Пархоменко, Н. А. Смирнова | ||
| "... метилтрихлорсилана с четырех-хлористым кремнием. По разработанной методике были получены с выходом 98,7—99,4 % (масс ..." | ||
| № 3 (2014) | СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТРИМЕТИЛ(ФЕНИЛ)СИЛАНА — ПРЕДШЕСТВЕННИКА ДЛЯ ГАЗОФАЗНЫХ ПРОЦЕССОВ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК SiCx : H | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Н. Ермакова, С. В. Сысоев, Л. Д. Никулина, И. П. Цырендоржиева, В. И. Рахлин, М. Л. Косинова, Ф. А. Кузнецов | ||
| "... целевой продукт с высоким выходом. Индивидуальность соединения подтверждена элементным анализом на C, H ..." | ||
| Том 25, № 2 (2022) | Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Абрютин, Е. В. Давыдова, М. А. Егоров, И. И. Марончук, Д. Д. Саникович | ||
| "... Cd, Zn и Te чистотой более 99,9999 % (мас.) по 30 основным остаточным примесям со сквозным выходом ..." | ||
| Том 27, № 4 (2024) | Формирование смешанного источника эпитепловых нейтронов и сканирующего пучка протонов на КПТ «Прометеус» для лечения опухолей в режиме флэш-терапии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Сиксин, И. Ю. Щеголев | ||
| "... жидкости» измерены профили мощности эквивалентной дозы на выходе канала для нейтронной компоненты канала ..." | ||
| 1 - 25 из 32 результатов | 1 2 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
