Весь выпуск
Посмотреть или загрузить весь выпуск |
Содержание
Материаловедение и технология. Полупроводники
Материаловедение и технология. Диэлектрики
ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ | PDF (Rus) |
Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин, Р. Р. Фахртдинов, О. А. Бузанов, С. А. Сахаров | 25-28 |
Материаловедение и технология. Магнитные материалы
Моделирование процессов и материалов
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ЭКСТРУЗИИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | PDF (Rus) |
М. Г. Лаврентьев, М. В. Меженный, В. Б. Освенский, А. И. Простомолотов | 35-40 |
К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ САМООРГАНИЗАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ | PDF (Rus) |
В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов | 40-44 |
Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ КВАНТОВОГО ВЫХОДА InGaN/Si–СВЕТОДИОДОВ ОТ ПЛОТНОСТИ ТОКА | PDF (Rus) |
О. И. Рабинович, В. П. Сушков | 50-53 |
Наноматериалы и нанотехнологии
Атомные структуры и методы структурных исследований
ВЛИЯНИЕ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ IN SITU НА СТРУКТУРУ НАРУШЕННОГО СЛОЯ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» | PDF (Rus) |
К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова | 68-71 |
ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | PDF (Rus) |
А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев | 72-78 |