Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 22, № 3 (2019) | Вычисление эффективного коэффициента теплопроводности сверхрешетки на основе кинетического уравнения Больцмана с использованием первопринципных расчетов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... полупроводниковой гетероструктуры на примере сверхрешетки GaAs/AlAs для различных периодов слоев и при различных ..." | ||
| № 4 (2014) | ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов, Б. А. Рахметов, Н. С. Токмолдин, С. Ж. Токмолдин | ||
| "... основе por−Si в виде гетероструктуры NiSi/por−Si/с−Si/Al позволяет улучшить их коррозионную стойкость к ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | НИТРИДНЫЕ НЕМТ ПРОТИВ АРСЕНИДНЫХ: ПОСЛЕДНЯЯ БИТВА? | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Федоров, С. В. Михайлович | ||
| "... , связанный с конструкцией приборов, а не со свойствами полупроводников. В частности, установлено, что ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, И. С. Колбин | ||
| "... Аннотация. Проведен расчет температурного режима в наноразмерных бинарных гетероструктурах AlAs ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках ..." | ||
| № 1 (2012) | НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Антипов, И. С. Бараш, В. Т. Бублик, С. Ю. Курин, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, К. Д. Щербачев, Х. Хелава | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью носителей заряда. Рассмотрен ..." | ||
| Том 18, № 1 (2015) | ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ НИТРИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Арендаренко, В. А. Орешкин, Ю. Н. Свешников, И. Н. Цыпленков | ||
| "... формировании гетероструктур, свободных от трещин и с хорошей морфологией. В то же время установлено, что ..." | ||
| Том 19, № 1 (2016) | ТИПОВАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ−УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян, В. А. Харченко | ||
| "... гетероструктур, базирующихся на отечественных материалах и технологиях, с привязкой к конкретным типам СВЧ ..." | ||
| № 4 (2012) | РАССЛОЕНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GeSi НА ПОДЛОЖКАХ GaAs И Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба | ||
| "... улучшения электронных параметров пленки и подложки на границе раздела, а также получения гетеросистем с ..." | ||
| Том 21, № 2 (2018) | Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно-зависимой диффузии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, А. В. Турутин, С. Ю. Юрчук, В. М. Фомин | ||
| "... В работе анализируют профили распределения фосфора в германии в гетероструктуре In0.56Ga0.44P/Ge ..." | ||
| Том 23, № 2 (2020) | Моделирование полевых элементов Холла на основе наноразмерных гетероструктур «кремний на изоляторе» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мордкович, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, А. В. Леонов | ||
| "... «кремний на изоляторе» с двумя управляющими затворами. Для решения задачи применяется двухуровневая ..." | ||
| № 4 (2014) | ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, С. Сайед, В. И. Чепурнов | ||
| "... Рассмотрены особенности технологии изготовления, а также результаты исследования морфологии ..." | ||
| Том 19, № 3 (2016) | Буферные слои в гетероструктурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Харченко | ||
| "... гетероструктур с контролируемым уровнем механических напряжений и низкой плотностью дефектов в объеме и на ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРВОГО КАСКАДА ТРЕХКАСКАДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОСФОРА В ГЕРМАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин, О. В. Торопова, Т. В. Критская | ||
| Том 22, № 4 (2019) | Факторы, определяющие актуальность создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов в рамках реализации приоритетов научно-технологического развития России | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Зацаринный, К. К. Абгарян | ||
| "... компьютерного моделирования при разработке прототипов новых материалов с заданными свойствами для их дальнейшего ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин | ||
| "... типичных С—V−характеристик для гетероструктур с верхними нелегированными слоями i−AlGaN и i−GaN при толщине ..." | ||
| Том 22, № 3 (2019) | Пленки ALD Al2O3, SiNx и SiON в качестве пассивирующих покрытий в AlGaN/GaN HEМТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, Ю. В. Колковский, Б. К. Медведев, C. А. Капилин | ||
| "... В полевых транзисторах на основе широкозонных нитридных гетероструктур широко используются ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... , а также однокристальная дифрактометрия. Показано, что легирование в процессе роста эпитаксиального ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Нестабильность емкости ВФ–характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ–транзисторов на их основе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин, С. А. Капилин | ||
| "... мощных AlGaN/GaN/SiC СВЧ-транзисторов Х-диапазона с длиной затвора 0,25 мкм и гетероструктуры, выращенные ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | КОНТРОЛЬ «ЖЕЛТОЙ» ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой, Е. Ф. Певцов | ||
| "... фотолюминесценции, а другая — снимать «карты» фотолюминесценции по площади пластин с гетероструктурами. Приведены ..." | ||
| 1 - 21 из 21 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
