Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 4 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИК–ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIIBVI, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ Fe2+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Курчатов, Д. М. Кустов | ||
| "... of semiconductor doped with one type of ion. With the appearance of the general theory of ligand structure ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| "... from the surface of semiconductors is presented for the conditions of ion−beam etching, consisting ..." | ||
| Том 26, № 4 (2023) | Исследование процессов диффузии ионов кобальта в кристаллах ортованадата кальция | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Воронина, Е. Э. Дунаева, Л. И. Ивлева, Л. Д. Исхакова, А. Г. Папашвили, М. Е. Дорошенко | ||
| "... cobalt ions into calcium orthovanadate Ca3(VO4)2crystals. Experimental samples were made from a nominally ..." | ||
| № 4 (2013) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ЭРБИЯ В КРЕМНИИ ПРИ ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Н. Дроздов, Н. В. Латухина, М. В. Степихова, В. А. Покоева, М. А. Сурин | ||
| "... Проведены исследования состава диффузионных слоев кремния, легированного редкоземельным элементом ..." | ||
| Том 21, № 1 (2018) | Отзыв о книге «Легирование полупроводников методом ядерных реакций» (2-е издание, дополненное) под ред. В. А. Харченко | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Соболев | ||
| "... Харченко В. А., Смирнов Л. С., Соловьев С. П., Стась В. Ф. Легирование полупроводников методом ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Процессы переключения и диэлектрические свойства монокристаллов ниобата бария-стронция, легированных ионами тулия и гольмия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Л. Кислова, О. Н. Сергеева, М. С. Зварич, П. А. Лыков, Л. И. Ивлева, А. В. Солнышкин | ||
| "... barium niobate Sr0.61Ba0.39Nb2O6 (SBN61) doped with holmium (Ho3+) and thulium (Tm3+) ions were studied ..." | ||
| № 1 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК ДИСЕЛЕНИДА ОЛОВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев | ||
| № 4 (2012) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК ПРИ ФОРМИРОВАНИИ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич | ||
| "... technological processes, such as low−energy ion implantation and rapid thermal processing (RTA) are presented ..." | ||
| Том 20, № 4 (2017) | Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Аннотация похожие документы |
| Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерлова, А. В. Лютцау, В. В. Сарайкин, В. И. Корнеев | ||
| "... . Investigation methods used were: mass spectroscopy of secondary ions, selective chemical etching on spherical ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли− и нанокристаллических полупроводниках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. А. Форш, П. К. Кашкаров | ||
| "... The distribution of potential and parameters of potential barrier in semiconductor crystallite ..." | ||
| Том 23, № 3 (2020) | Фотолюминесценция CaGa2O4, активированного редкоземельными ионами Yb3+, Er3+ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Марьин, У. А. Марьина, В. А. Воробьев, Р. В. Пигулев | ||
| "... activated by trivalent rare earth ions Yb3+ and Er3+. IR luminescence spectra of samples with a single ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТЕРМОМИГРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Б. М. Середин | ||
| "... alloying method can be used in the technology of semiconductor device structures, provided ..." | ||
| Том 27, № 3 (2024) | Высокочастотные вольт-фарадные характеристики мембранных структур на основе Ba1-xSrxTiO3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, М. С. Афанасьев, Г. В. Чучева | ||
| "... C–V-characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor objects grown on thin (20 µm) and thick ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ–электроники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин, А. А. Алексеев, Е. А. Белоконь, И. М. Исаев | ||
| "... Abstract. In this paper, the effect of Al3+ ions substitutions on the value of the effective ..." | ||
| № 1 (2014) | СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский, В. А. Филипеня, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Куанг Нья Во, Тхи Тхань Бинь Нгуен, В. А. Скуратов, D. Wieck Andreas | ||
| "... MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS ..." | ||
| Том 27, № 1 (2024) | Металлорганические каркасные структуры и композиты на их основе: особенности строения, методы синтеза, электрохимические свойства и перспективы (обзор) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Г. Муратов, Л. В. Кожитов, И. В. Запороцкова, А. В. Попкова, В. В. Слепцов, А. В. Зорин | ||
| "... of crystals, their size, and the spatial relationships between organic components with metal ions. This review ..." | ||
| Том 25, № 2 (2022) | Определение отклонения от стехиометрии в широкозонных полупроводниковых соединений АIIВVI по составу равновесной паровой фазы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Тепловые и термоэлектрические свойства керамики из оксида цинка, легированной металлами | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Е. Н. Подденежный, Л. А. Близнюк, В. В. Ховайло, В. В. Федотова, А. А. Харченко | ||
| "... scattering due to the influence of the following factors: (1) the size factor when replacing zinc ions ..." | ||
| № 4 (2013) | ИНТЕГРАЛЬНО–ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МЕТОД ТЕРМОСПЕКТРОСКОПИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО РЕЛАКСАЦИИ ИХ ЗАРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ф. И. Маняхин | ||
| "... A new method of measuring the parameters of shallow and medium−depth levels in semiconductor band ..." | ||
| № 4 (2013) | СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ ОБРАЗЦА ВЫСОКООМНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА И КОНТАКТОВ К ОБРАЗЦУ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский | ||
| "... is suggested. The method described is applicable to high−ohmic semiconductor samples: semiinsulating gallium ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... In the paper a new approach to solve the optimization problem of nanoscale semiconductor ..." | ||
| Том 20, № 1 (2017) | ИЗУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЧАСТИЧНО СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ZRO2 ЛЕГИРОВАННЫХ CE МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОГО ПАРАМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Борик, Р. М. Еремина, Е. Е. Ломонова, В. А. Мызина, В. В. Осико, И. И. Фазлижанов, В. А. Шустов, И. В. Яцык | ||
| "... the concentration of Ce3+ ions in PZS crystals, EPR spectra were recorded in the presence of a reference specimen ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ЗАРЯДОВЫХ НАСОСОВ В СТРУКТУРЕ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Старков, В. А. Гусев, Н. О. Кулаковская, Е. А. Гостева, Ю. Н. Пархоменко | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова, Э. М. Темпер, И. И. Разгуляев | ||
| "... of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurements ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка | ||
| "... aspects of ion−electron emission. Possibilities of practical implementation of the method of operative ..." | ||
| 1 - 25 из 170 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
