Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 26, № 1 (2023) | К вопросу о корректном определении концентрации электронов в n-GaSb по данным электрофизических измерений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Н. Пархоменко, А. Г. Белов, Е. В. Молодцова, Р. Ю. Козлов, С. С. Кормилицина, Е. О. Журавлев | ||
| "... The calculation of conductivity electron concentrations in n-GaSb at T = 295 K and T = 77 K have ..." | ||
| № 3 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПОРИСТЫХ И НАНОТРУБЧАТЫХ СЛОЕВ ОКСИДА ТИТАНА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова, А. Г. Яковенко | ||
| № 3 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков | ||
| "... conductivity was determined not by ionic conductance but by the density of electrons and holes supplied ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ С ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка, В. И. Колыбелкин | ||
| "... is the registration of ion−electronic emission during ion−beam etching. Results on secondary electron current for ion ..." | ||
| Том 21, № 4 (2018) | Использование атомно-силового микроскопа для создания одномерной структуры на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs | Аннотация похожие документы |
| М. В. Степушкин, В. Г. Костишин, В. Е. Сизов, A. Г. Темирязев | ||
| "... In the study of electron transport in low-dimensional structures, semiconductor heterostructures ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, Е. В. Спесивцев, Д. В. Гуляев, А. М. Пугачев, Д. Г. Есаев | ||
| "... into the films were found equal to the 0.14 eV and 0.3 eV for the electrons and holes accordingly. The obtained ..." | ||
| № 2 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ НА ГРАНИЦЕ СОЕДИНЕННЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, А. А. Мазилкин, М. А. Хорошева, О. Конончук | ||
| "... electron microscopy, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence. The main revealed ..." | ||
| Том 25, № 1 (2022) | Электрические и гальваномагнитные свойства монокристаллов черного фосфора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Харченко, Ю. А. Федотова, В. Ю. Слабухо, А. К. Федотов, А. В. Пашкевич, И. А. Свито, М. В. Бушинский | ||
| "... of the crystals: (1) intrinsic conductivity type, (2) approximately equal electron and hole concentrations ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Влияние осаждения частиц кобальта на квантовые поправки к проводимости Друде в твистированном CVD графене | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. К. Федотов, С. Л. Прищепа, А. С. Федотов, В Э. Гуменник, И. В. Комиссаров, А. О. Конаков, С. А. Воробьева, О. А. Ивашкевич, А. А. Харченко | ||
| "... -quality low-resistance contacts and a deeper understanding of the mechanisms of electron carrier transport ..." | ||
| Том 19, № 2 (2016) | Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. К. Абгарян | ||
| "... , состоящего из ряда подслоев, который обеспечивает заданную концентрацию электронов в канале проводимости в ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации дырок в образцах p-GaAs, легированных цинком | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Г. Белов, В. Е. Каневский, Е. И. Кладова, С. Н. Князев, Н. Ю. Комаровский, И. Б. Парфентьева, Е. В. Чернышова | ||
| "... has been obtained which gave the possibility to determine heavy hole concentration value at T = 295K ..." | ||
| Том 26, № 3 (2023) | Процессы образования дефектов, формирующих глубоких уровни в структурах SiON/AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Енишерлова, И. А. Михайлов, Л. А. Сейдман, Е. П. Кириленко, Ю. В. Колковский | ||
| "... that at the control voltage U > +4 — +5 V ), some of the channel electrons are captured at deep centers at the SiON ..." | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Ионная проводимость бороуглеродных нанослоев типа ВС3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Борознин, И. В. Запороцкова | ||
| "... , или ионную проводимость. Исследованы механизмы миграции вакансии и определены основные электронно ..." | ||
| № 2 (2013) | ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, В. Н. Ципенюк | ||
| Том 18, № 1 (2015) | О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Кобелева | ||
| "... annealing of electron or neutron irradiated high resistivity silicon. Based on the solution ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО–ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ПРОЦЕССЕ РЕАКТИВНОГО ИОННО–ЛУЧЕВОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Курочка, А. А. Сергиенко, С. П. Курочка | ||
| "... aspects of ion−electron emission. Possibilities of practical implementation of the method of operative ..." | ||
| № 1 (2012) | ИССЛЕДОВАНИЕ ФАЗОВОГО СОСТАВА В ОБРАЗЦАХ НАНОКОМПОЗИТА por–Si/SnOx, ПОДВЕРЖЕННЫХ ТЕРМИЧЕСКОМУ ОКИСЛЕНИЮ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Болотов, С. Н. Несов, П. М. Корусенко, С. Н. Поворознюк | ||
| "... электронной Оже−спектроскопии образцов нанокомпозита por−Si/SnOx с различными режимами термической обработки ..." | ||
| № 2 (2014) | ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ НАНОСЛОЕВ «КРЕМНИЙ–НА–ИЗОЛЯТОРЕ» И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ С ИЗЛУЧЕНИЕМ НАНОМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Терехов, Д. Н. Нестеров, Э. П. Домашевская, С. Ю. Турищев, Г. Н. Камаев, А. Х. Антоненко | ||
| "... transformation of the electron energy spectrum and local partial density of states distribution in valence ..." | ||
| Том 21, № 3 (2018) | Влияние фазового состава и локальной кристаллической структуры на транспортные свойства твердых растворов ZrO2—Y2O3 и ZrO2—Gd2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. А. Агаркова, М. А. Борик, В. Т. Бублик, Т. В. Волкова, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицина, Н. А. Ларина, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, П. А. Рябочкина, Н. Ю. Табачкова | ||
| "... of the crystals was studied by X−ray diffractometry and transmission electron microscopy. Transport ..." | ||
| № 3 (2013) | LiTaO3 — МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ ОПТО– И АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. А. Бузанов, С. А. Сахаров, Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин, С. Д. Лавров | ||
| "... bulk acoustic wave resonators. The possibility of direct electron beam repolarization of LiTaO3 ..." | ||
| № 4 (2012) | ДИФРАКЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В СТРУКТУРАХ SiOx/Si С ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ УГЛЕРОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов | ||
| № 3 (2014) | ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР АIIIВV В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Н. Орлова, С. Ю. Юрчук, С. И. Диденко, К. И. Таперо | ||
| "... to the structural damage produced by irradiation with fast neutrons and electrons, step by irradiation with fast ..." | ||
| Том 24, № 1 (2021) | Рецензия на статью «Reversed Crystal Growth» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. П. Федоров | ||
| Том 19, № 4 (2016) | Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов | ||
| "... /GaAs heterostructures with a 2D electron gas with high electron mobility. The process of annealing ..." | ||
| Том 22, № 2 (2019) | Влияние облучения пучком низкоэнергетических электронов на вольт-фарадные характеристики структуры Al/SiO2/Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. О. Куланчиков, П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов | ||
| "... The effect of electron irradiation with energy of 2.5 keV on the MOS structure Al/SiO2/Si ..." | ||
| 1 - 25 из 177 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 8 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
