Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 21, № 2 (2018) | Как обеспечить постоянную концентрацию примеси по высоте слитка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, F. Baltaretu | ||
| "... На основе исследования сегрегации при выращивании германия и кремния из тонкого слоя расплава с ..." | ||
| № 4 (2014) | РАСПРЕДЕЛЕНИЕ Ge В СЛИТКЕ СПЛАВА Si0,9Ge0,1 ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛА ИЗ ТОНКОГО СЛОЯ РАСПЛАВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner | ||
| "... экспериментальных данных был проведен учет изменения толщины слоя расплава между растущим кристаллом и дном ..." | ||
| № 4 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ МУЛЬТИКРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО РАФИНИРОВАННОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА—СТОКБАРГЕРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев,, Ю. В. Сокольникова | ||
| "... Исследованы особенности распределения примесей в кристаллах мультикремния, выращенных из ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ОСЛАБЛЕННОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА И ГАЗООБМЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Гоник | ||
| "... атмосферой в печи. В отсутствие свободной поверхности у расплава конвекция Марангони не возникала. Кристалл ..." | ||
| № 3 (2013) | К ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ Si—Ge МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. И. Гоник, Arne Cröll | ||
| "... свободной поверхности расплава Si—Ge при вытягивании кристалла. Показана возможность по-лучения однородных ..." | ||
| № 2 (2013) | О НАКОПЛЕНИИ ПРИМЕСИ В АДСОРБЦИОННОМ СЛОЕ В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Ю. Эрвье | ||
| "... молекулярно-лучевой эпитаксии. Сделано предположение, что встраивание примеси в поверхностный слой легируемого ..." | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Моделирование МГД-воздействия на течение расплава кремния в процессе Чохральского | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов | ||
| "... Рассмотрено применение вращающегося магнитного поля (ВМП) в технологии выращивания кристаллов ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ НИЗКОДИСЛОКАЦИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. М. Алимов, К. Е. Аношин, А. В. Наумов | ||
| "... Чохральского из расплава с различной формой фронта кристаллизации (ФК). Проанализировано формирование ..." | ||
| Том 18, № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА ПОДЛОЖЕК SiC НА СТРУКТУРНОЕ НСТВО И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛЕНОК AlGaN/GaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. Л. Eнишерлова, Т. Ф. Русак, В. И. Корнеев, А. Н. Зазулина | ||
| "... электрофизические параметры выращенных на них эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN нитридных гетероструктур. В подложках ..." | ||
| Том 26, № 2 (2023) | Влияние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский | ||
| "... Механическая обработка полупроводниковых монокристаллических слитков является одним из ключевых ..." | ||
| № 2 (2013) | ОПТИЧЕСКИЙ МОНИТОРИНГ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| C. В. Михляев | ||
| "... Рассмотрены вопросы оптического мониторинга уровня расплава и диаметра кристалла, выращиваемого из ..." | ||
| № 4 (2013) | ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В НЕИДЕАЛЬНОМ 1D ФОТОННОМ КРИСТАЛЛЕ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Румянцев, С. А. Федоров | ||
| "... элементарной ячейке: первый слой — кремний, а второй — жидкий кристалл. Исследованы особенности зависимости ..." | ||
| № 1 (2014) | СТРУКТУРА, ФАЗОВЫЙ СОСТАВ И МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ZrO2, ЧАСТИЧНО СТАБИЛИЗИРОВАННЫХ Y2O3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Борик, В. Т. Бублик, М. Ю. Вилкова, А. В. Кулебякин, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, П. А. Рябочкина, Н. Ю. Табачкова, С. Н. Ушаков | ||
| "... . Установлено, что кристаллы ЧСЦ, полученные направленной кристаллизацией расплава, характеризуются наличием ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ДОНОРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ НА МЕХАНИЗМ ПРОВОДИМОСТИ И СПЕКТРЫГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРИСТАЛЛАХ TlBr | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, А. В. Говорков, Е. А. Кожухова, И. С. Лисицкий, М. С. Кузнецов, К. С. Зараменских, А. Я. Поляков | ||
| "... микрокатодолюминесценции (МКЛ) нелегированных и легированных донорами (Pb, Ca) кристаллов TlBr и изучено влияние на эти ..." | ||
| Том 18, № 4 (2015) | ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ОКСИДА ИТТРИЯ НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (ZrO₂)0,91−x(Sc₂O₃)0,09(Y₂O₃)х (x = 0÷0,02) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Агарков, М. А. Борик, С. И. Бредихин, В. Т. Бублик, Л. Д. Исхакова, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицына, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, С. В. Серяков, Н. Ю. Табачкова | ||
| "... кристаллов введения в твердые растворы ZrO2 — 9 % (мол.) Sc2O3 дополнительного легирующего оксида Y2O3 в ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | АНАЛИЗ ПРИЧИН НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕЛЛУРА В КРИСТАЛЛЕ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ, ВЫРАЩЕННОМ В КОСМИЧЕСКОМ ЭКСПЕРИМЕНТЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб, А. Э. Волошин | ||
| "... Исследовано структурное совершенство кристалла GaSb : Te, выращенного во время беспилотного ..." | ||
| № 1 (2012) | ДЕМОНСТРАЦИЯ БРЭГГОВСКОЙ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА 2D–ФОТОННОЙ СТРУКТУРЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. К. Наими | ||
| "... −фотонной структуре (двухмерном фотонном кристалле). Рассмотрены условия формирования оптической лауэграммы ..." | ||
| № 3 (2013) | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМИЧЕСКОЙ АКТИВАЦИИ АКЦЕПТОРНОЙ ПРИМЕСИ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaN : Mg | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин | ||
| "... Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов ..." | ||
| № 4 (2014) | ДИАГНОСТИКА ПРИМЕСНОГО СОСТАВА ВЫСОКОЧИСТОГО МОНОСИЛАНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ АНАЛИЗА КОНТРОЛЬНОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева | ||
| "... коэффициентов распределения примесей в системе «твердое тело — жидкость», координаты образца по длине слитка ..." | ||
| Том 20, № 2 (2017) | О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов, П. Д. Гиндин, Н. И. Евстафьева, П. В. Митасов, И. Н. Мирошникова | ||
| "... и эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs под такими слоями. Анодное окисление ..." | ||
| № 1 (2014) | ВЛИЯНИЕ СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ НА ЛАЗЕРНУЮ СТОЙКОСТЬ ЩЕЛОЧНО–ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Блистанов, О. М. Кугаенко, Л. А. Васильева | ||
| "... Представлены результаты исследования влияния примеси на разрушение под действием лазерного ..." | ||
| Том 27, № 2 (2024) | Термовольтаический отклик в двухслойных тонкопленочных структурах на основе оксида цинка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Макагонов, К. С. Габриельс, Ю. Е. Калинин, А. Ю. Лопатин, Л. А. Близнюк, А. К. Федотов | ||
| "... распределением концентрации легирующей примеси, приводящей к градиентному распределению концентрации носителей ..." | ||
| Том 25, № 2 (2022) | Теплопроводность монокристаллов твердых растворов на основе диоксида циркония, стабилизированных оксидами скандия, иттрия, гадолиния и иттербия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Агарков, М. А. Борик, Г. М. Кораблева, А. В. Кулебякин, Е. Е. Ломонова, Ф. О. Милович, В. А. Мызина, П. А. Попов, Н. Ю. Табачкова | ||
| "... ,09(Yb2O3)0,01. Кристаллы выращивали методом направленной кристаллизации расплава в холодном контейнере ..." | ||
| № 3 (2013) | ВЫСОКОРАЗРЕШАЮЩАЯ РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКТОМЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. С. Смирнов, И. Г. Дьячкова, Е. Г. Новоселова | ||
| "... кристаллы кремния n−типа проводимости с удельным сопротивлением 100 Ом ⋅ см. Измерения проведены методом ..." | ||
| Том 18, № 2 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ «СОЛНЕЧНОГО» КАЧЕСТВА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ПРИГОДНОГО ОБЪЕМА СЛИТКОВ И КПД СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. М. Скаков, А. А. Павлов | ||
| "... слитков МКК в промышленном масштабе с использованием примесей бора и галлия оптимизированы выход годного ..." | ||
| 1 - 25 из 227 результатов | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> | |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
